facultad de ingenieria electrica

Parámetros del transistor de efecto de campo (JFET)
OBJETIVO:
Obtener los parámetros y curva de transconductancia de un transistor de efecto de campo (JFET).

DESARROLLO:
1.- Medición de IDSS.Después de armar el siguiente circuito obtuvimos la corriente IDDS incrementando el voltaje de la fuente hasta que la corriente se mantuvo estable sin cambio, y la IDDS fue la siguiente:
IDSS =3.74 mA.


2.- Obtención del Vp ó VGS(OFF)
Ahora de este segundo circuito para poder obtener el VGS(OFF) utilizamos un potenciómetro para haci poder disminuir el voltaje y llevar hasta elVGS(OFF) , obteniendo el siguiente resultado:
VGS(OFF) = -1.55 v

 
3.- Obtención de la curva de transconductancia.
Para obtener la Curva de la tranconductancia, lo que se hizo fue del circuitoanterior, variar el VGS y medir el IDS obteniendo los siguientes datos:
Tabla de datos:
VGS IDS
0.0 3.74
-0.3 2.44
-0.6 1.44
-0.7 1.18
-1.0 0.46
-1.2 0.17
-1.5 0.01
-1.7 0.0
-2.0 0.0
-2.1 0.0Grafica de Tranconductancia:

4.-Obtencion de las curvas de operación:
De nuevo con el segundo circuito, pero ahora variando el VGS(OFF) con valores que el profesor nos proporcionó, y elvoltaje de alimentación que se marca en la tabla de datos, se procedió a medir la corriente resultante ID.

VGS (off) = 0
Voltaje de alimentación 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Corriente ID 2.21 3.34 3.573.64 3.67 3.68 3.69 3.70 3.71 3.72 3.72 3.73
VGS (off) = -0.4

Voltaje de alimentación 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Corriente ID 1.57 1.90 1.95 1.97 1.99 2.0 2.01 2.01 2.02 2.02 2.03 2.03
VGS (off)= -0.8

Voltaje de alimentación 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Corriente ID 0.8 0.86 0.88 0.89 0.89 0.90 0.90 0.91 0.91 0.91 0.91 0.92
VGS (off) = -1.2

Voltaje de alimentación 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1011 12
Corriente ID 0.15 0.16 0.16 0.16 0.16 0.16 0.17 0.17 0.17 0.17 0.17 0.17
VGS (off) = -1.55

Voltaje de alimentación 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Corriente ID 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0...