familia logica

Familia Lógica SOI
Este substrato está compuesto de tres capas diferenciadas. Primero una delgada lámina de silicio que puede ir desde unos pocos nanómetros hasta varias micras. A continuación unacapa de aislante, normalmente óxido de silicio con un grosor variable y finalmente la lámina más gruesa de silicio que actúa como material que da soporte mecánico a toda la estructura.
Lo cualpermite mejorar así las prestaciones de los microprocesadores y las memorias semiconductoras utilizadas en los ordenadores actuales.

Obleas SOI
Se fabrican obleas de SOI que permiten que lostransistores MOSFET fabricados con ellas alcancen elevadas prestaciones no solo en el ámbito de la electrónica digital (la conmutación de estados on/off en una etapa CMOS SOI es mas rápida que en unaconvencional) si no también en el campo de la electrónica analógica e el rango d frecuencia de GHz. Se a calculado que las prestaciones de SOI MOSFET son equiparables a las de la siguiente generaciónequivalente de MOSFET convencional ofreciendo un incremento de velocidad de conmutación en aplicaciones digitales del orden del 25-30%. Ofrece además la posibilidad de una mayor densidad de integración debidoal mejor aislamiento vertical entre transistores, mayor inmunidad ante errores causados por radiaciones y mayor simplicidad de diseño.

Características
Continua con la miniaturización dedispositivos microelectrónicas (Ampliación de la Ley de Moore).
Reemplaza a los sustratos de silicio convencionales por sustrato de silicio-aislante-capas de silicio.
Baja capacitancia parásita debido alaislamiento del silicio a granel, lo que mejora el consumo de energía con un rendimiento combinado.
Resistencia a la latchup debido a completar el aislamiento de la N-y p-estructuras así.
Lacaracterística principal de esta tecnología es que el transporte de portadores tiene lugar en capas de silicio de espesor muy reducido, que se encuentra aislada del sustrato mediante un oxido enterrado....