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Laboratorio de electrónica análoga I

Tema: Transistores de efecto de campo
Informe final
Procedimiento

V PROCEDIMIENTO

Parte 1. Medición de la corriente de saturación IDSS y el voltaje de estrangulamiento VP
5.1 Construya el circuito de la Figura 1. Inserte el valor medido de R. El resistor de 10 KOhm esta incluido para proteger el circuito de puerta si la fuente dealimentación se aplica con polaridad equivocada y el potenciómetro se ajusta a máximo valor.

[pic]

5.2 Varíe el potenciómetro de 1 MΩ hasta que [pic]=0 V. recuerde que [pic]cuando. [pic]=0 V
5.3 Ajuste [pic] a 8 V. variando el potenciómetro de 5 KΩ. Mida el voltaje [pic]:

5.4 Calcule la corriente de saturación de [pic] , usando el valor medido del resistor y anótelo:
[pic]

5.5 Mantenga[pic] en 8 V. y reduzca [pic] hasta que [pic] caiga a 1 mV. A este nivel, [pic] es decir, aproximadamente 0 mA, comparado con los niveles típicos de operación. Recuerde que [pic] es el voltaje [pic] que resulta en [pic]=0 mA. Anote el voltaje de estrangulamiento:

5.6.- Compare con otros grupos en el laboratorio y anote sus niveles de [pic] y de [pic]
Consultando con los demásgrupos tenemos que el valor de [pic] y de [pic]
5.7.- Basado en lo anterior ¿Son iguales los valores de [pic] y de [pic] para todos los transistores 2n4416?
Tenemos en cuenta que es muy similar los valores de los parámetros vistos; muy po el contrario de los transistores BJT que poseen en su β una diferencia de hasta cinco veces su valor en un mismo tipo de transistor, en este caso podríamos decirque es una ventaja para problemas de diseño.
5.8 Usando los valores determinados de IDSS y VP grafique las características de transferencia para el dispositivo, usando la ecuación de Shockley. Grafique al menos 5 puntos en la curva.
[pic]
Primero tomaremos los dos puntos extremos del transistor como son.
[pic] Entonces [pic]
Para [pic] Entonces [pic]
Para [pic] Entonces [pic]Para [pic] Entonces [pic]
Para [pic] Entonces [pic]
[pic]
[pic]
Para [pic] Entonces [pic]
[pic]
[pic]
Por último para [pic] Entonces [pic]
[pic]
[pic]
Podemos hacer una tabla para ordenar los valores tomados en cada caso.
|[pic] |[pic] |
|0V |5.98mA |
|-1.99V |0mA |
|[pic]|[pic] |
|[pic] |[pic] |
|[pic] |[pic] |
|[pic] |[pic] |

Luego podemos ubicar los puntos en la gráfica y aproximar la gráfica los más cerca posible a los mismos.
[pic]
Parte 2. Características de salida.
5.9 Usando la red de la Figura 1 varíe los potenciómetros hasta que[pic]=0 V. y [pic]=0 V. Determine [pic]. de [pic]. = [pic]/R usando el valor medido de R y anótelo en la Tabla 1
5.10 Mantenga [pic] a 0 V. e incremente [pic] hasta 14 V. (en pasos de 1 V) y anote el valor calculado de ID. Asegúrese de usar el valor medido de la resistencia de 100 Ω en sus cálculos.
5.11 Varíe el potenciómetro de 1 MΩ hasta que [pic]=[pic]/6. Manteniendo [pic] a este nivel, varíe[pic] a través de los niveles de la Tabla 1 y anote el valor calculado de [pic].
5.12 Repita el paso anterior para los valores de [pic] que aparecen en la Tabla 1. Termine el proceso cuando [pic] exceda a [pic].

|[pic] |0 |[pic] |[pic] |[pic] |[pic] |[pic] |[pic] |
| |0 |-0.33|-0.66 |-0.995 |-1.32 |-1.65 |-1.99 |
|0 |0.00 |0.00 |0.00 |0.00 |0.00 |0.00 |0.00 |
|1 |3.80 |2.98 |2.17 |1.30 |0.56 |0.10 |1.20 |
|2 |5.20 |3.81 |2.58...
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