Fundamentos de semiconductores




Ingeniería Electrónica

Practica No. 1
Fundamentos de Semiconductores


Trabajo presentado por:
Salinas Vázquez Rubén de Jesús
Flores de Jesús Claudio

Primera Unidad del curso de Fisica IV.


Profesor: MC. Carlos Edgar Vazquez Lopez




Tijuana B.C a 7 de marzo del 2012.























Indice.Página
Introduccion……………………………………………………………………………………..……….. 4
I.Objetivos………………………………………………………………………………………………... 5
II.Introducción a los semiconductores……………………………………….................................... 6
III.Bandas de Energía y portadores de carga………………………………………………………. 10
IV.Portadores de arga yniveles de Fermi…………………….…………………………………..… 21
V.Semiconductor fosfuro de aluminio……………………………………………………………….. 23
VI.Material y equipo…………………………………… ……..…………………………………….… 25
VII.Desarrollo de la práctica…………………………………………………………………………... 25
IIX.Conclusión. ……………………………………………………………………………………….. 36
Indice de GráficosPágina.
2.1 Materiales Sólidos…………………………………………………………………………………... 6
2.2 Formación de uns estructura cristalina…………………………………………………………... 7
2.3 Redes de Bravais…………………………………………………………………………………… 8
2.4 Planos con distintos Indices de Miller…………………………………………………………….. 9
3.1 Bandas de energía de diferentes materiales…………………………………………………... 10
3.2 Diagrama de bandas para cadamaterial……………………………………………………….. 11
3.3 Potencial periódico de una partícula…………………………………………………………..… 12
3.4 Gráfica de f (E)………………………………………………………………………………….…. 13
3.5 Elementos con características de semiconductores…………………………………………... 14
3.6 Materiales Semiconductores……………………………………………………………………... 15
3.7 Valores caracteríticos de algunos semiconductores……………….......................................16
3.8 Estructura de un semiconductor intrínseco…………………………………………………….. 16
3.9 Semiconductor extrínseco………………………………………………………………………... 17
3.10 Semiconductor tipo n…………………………………………………..................................... 18
3.11 Semiconductor tipo p………………………………………………………………………….… 19
3.12Corriente de electrones vs.corriente de huecos………………………………………………..19
4.1 Densidad deestados……………………………………………………………………………… 21
4.2 Gráfica de densidad de estados…………………………………………………………………. 22
5.1 Fosfuro de aluminio……………………………………………………………………………….. 24
7.1 Estructura cristalina del AlP……………………………………………………………………… 26
7.2 Estructura del GaN……………………………………………………....................................... 26
7.3 Estructura Cúbica Simple……………………………………………………………………...…. 27
7.4 Difusión,Arrastre y recombinación………………………………………………………………. 28
7.5Trampas del hueco y del electron……………………………………………………………….. 29
7.6 Recombinación y generación Indirecta…………………………………………………………. 29
7.7 Emisión y captura de electrones………………………………………………………………… 30
7.8 Emisión y captura de huecos…………………………………………………………………….. 31
7.9 Diagrama de bandas y diagrama E-k…………………………………………………………… 32
7.10 Posición de los electrones a distintas temperaturas…………………………………………. 337.11 Diagrama de AsG a diferentes temperaturas…………………………………………………. 34
7.12 Niveles de fermi vs. Densidad de estados……………………………………………………. 34
7.14 Representación gráfica del nivel de fermi…………………………………………………..… 35








Introducción
Mediante este trabajo titulado ¨Fundamentos de Semiconductores¨ se engloban los principales conceptos, la base de la fabricación y de igual manera laspropiedades de los semiconductores. Se presenta em forma de tres apartados los cuales definen temas principales para la definicion de un semiconductor: Estructura Cristalina, Energia de Bandas y Portadores de carga y Portadores de carga y energia de Fermi.
El trabajo esta formado por tres apartados principales los cuales estan precedidos por un marco teórico que...