Guia de computacion udg

Páginas: 3 (670 palabras) Publicado: 26 de abril de 2011
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PRÁCTICA 3  Transistores: polarización y aplicaciones 
      El  objetivo  de  esta  práctica  es  observar  las  características  corriente  tensión  de  un transistor  bipolar,  comprobar  su  punto  de  operación  estacionario  y  mostrar  su  aplicación  en  la  realización  de  circuitos  amplificadores.    Un transistor bipolar (BJT) está formado por tres regiones de semiconductor dopadas alternativamente, en  cada una de las cuales se establece un contacto metálico. Existen dos tipos:   

 

        Transistor p‐n‐p                                                    Transistor n‐p‐n   

 

    Tomaremos como referencia para aplicar las tensiones el terminal de emisor. Cuando las tensiones aplicadas a la base y al colector son negativas en los transistores p‐n‐p o positivas en los transistores n‐p‐n, decimos que el  transistor  está  trabajando/polarizado  en  la  zona  activa  directa.  En  estas  condiciones  de  polarización,  al  estar  la  unión  base‐emisor  en  directa  y  la  base‐colector  en  inversa,  se cumple  que  la  corriente  de  colector,  IC,  prácticamente no depende de la tensión aplicada al colector y es proporcional a la corriente de base, IB: 

IC=F× IB siendo F la ganancia en corriente del transistor. 

Práctica 3: Transistores: polarización y aplicaciones 

2        Si la corriente de base no es suficientemente alta el transistor no conducirá (IC=0), es lo que se llama región de corte, mientras que para pequeñas tensiones aplicadas al colector estamos en la región de saturación (IC no es  constante con VCE)    ‐  ‐   

  En  esta  práctica  utilizaremos  el  transistor bipolar  2N2222,  de  tipo  n‐p‐n  cuyas  características  de  salida  y  configuración de terminales se muestran en la figura siguiente.     

 

   Práctica 3: Transistores: polarización y aplicaciones 

 

3        ‐  ‐   

    +  +  +  IB  Tierras del  IC  +    osciloscopio RB   BB RC  CC   ‐ ...
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