Informacion de bjt, dispositivo de potencia
Páginas: 6 (1265 palabras)
Publicado: 17 de julio de 2010
1. ¿Qué es un Transistor Bipolar (BJT)?
Es un dispositivo electrónico de estado sólido el cual está constituido por dos uniones PN las cuales se encuentran muy cercanas, lo que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
2. ¿Cuáles son los tipos de BJT?
Los transistores NPN y los PNP.
3. ¿Cuál es la diferencia entre transistores NPN y transistores PNP?Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor que contiene impurezas P (la "base") entre dos capas de material que también contiene impurezas. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada solamente en la salida del colector. Mientras que los transistores PNP consisten de una capa de material semiconductor con impurezas N entredos capas de material con impurezas P. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
4. ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores NPN?
La entrada es activada al poner un voltaje positive mayor a los niveles de gatillo y conectar la tierra potencial del voltaje positivo con la tierra deldispositivo. El voltaje positivo puede ser puesto por medio de un apagador mecánico.
5. ¿Cuáles son las características de salida de los transistores NPN?
La salida del NPN es un transistor colector abierto, cuando la salida esta activar el colector hace corto circuito con la tierra. Un voltaje positivo puede ser conectado a una salida del colector abierto y conecta la tierrapotencial del voltaje a la tierra del dispositivo.
6. ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT?
Región activa: Un transistor está activo cuando:
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. Esta región es la más importante si se desea utilizar el transistor como un amplificador de señal.Región de corte: Un transistor está en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. Normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor= corriente máxima,
(Ic = Ie = Imáxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos.
7. ¿Qué es una β de los BJT?
Es la ganancia de corriente emisor común, acostumbra tener un valor cercano a la unidad el cual oscila entre 0.98 y 0.998.
8. ¿Cuál es la diferenciaentre Beta y Beta Forzada de los BJT?
Básicamente es la manera en que se conectan los BJT (Darlington) para poder aprovechar a lo máximo la ganancia, también hay que tener en cuenta que la temperatura, el voltaje colector-emisor y la corriente del colector afectan la ganancia.
9. ¿Cuál es la conductancia de los BJT?
Los BJT tienen una gran conductancia eléctrica, el cual es el inversode la resistencia eléctrica medido en siemens.
10. ¿Cuál es el factor “overdrive” de los BJT?
Guarda carga innecesaria en la base, el cual se necesita eliminar antes de apagar el BJT lo cual aumenta el tiempo de apagado, pero a su vez ocasiona que la base se cargue antes haciendo que el tiempo de encendido sea menor.
11. ¿Cuál es el modelo de switcheo del BJT?
Si VCE =0 (switchcerrado) entonces Ic no puede ser mayor que VCC / RC, aun cuando la corriente y voltaje en la base sean mayores. El transistor está saturado. Por lo que los valores del voltaje de entrada pueden ser escogidos, tal que la salida está apagado o encendido, el transistor está actuando como un switch.
12. ¿Cuál es la causa del tiempo de retraso en los BJT?
El tiempo de retraso es requerido...
Es un dispositivo electrónico de estado sólido el cual está constituido por dos uniones PN las cuales se encuentran muy cercanas, lo que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
2. ¿Cuáles son los tipos de BJT?
Los transistores NPN y los PNP.
3. ¿Cuál es la diferencia entre transistores NPN y transistores PNP?Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor que contiene impurezas P (la "base") entre dos capas de material que también contiene impurezas. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada solamente en la salida del colector. Mientras que los transistores PNP consisten de una capa de material semiconductor con impurezas N entredos capas de material con impurezas P. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
4. ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores NPN?
La entrada es activada al poner un voltaje positive mayor a los niveles de gatillo y conectar la tierra potencial del voltaje positivo con la tierra deldispositivo. El voltaje positivo puede ser puesto por medio de un apagador mecánico.
5. ¿Cuáles son las características de salida de los transistores NPN?
La salida del NPN es un transistor colector abierto, cuando la salida esta activar el colector hace corto circuito con la tierra. Un voltaje positivo puede ser conectado a una salida del colector abierto y conecta la tierrapotencial del voltaje a la tierra del dispositivo.
6. ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT?
Región activa: Un transistor está activo cuando:
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. Esta región es la más importante si se desea utilizar el transistor como un amplificador de señal.Región de corte: Un transistor está en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. Normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor= corriente máxima,
(Ic = Ie = Imáxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos.
7. ¿Qué es una β de los BJT?
Es la ganancia de corriente emisor común, acostumbra tener un valor cercano a la unidad el cual oscila entre 0.98 y 0.998.
8. ¿Cuál es la diferenciaentre Beta y Beta Forzada de los BJT?
Básicamente es la manera en que se conectan los BJT (Darlington) para poder aprovechar a lo máximo la ganancia, también hay que tener en cuenta que la temperatura, el voltaje colector-emisor y la corriente del colector afectan la ganancia.
9. ¿Cuál es la conductancia de los BJT?
Los BJT tienen una gran conductancia eléctrica, el cual es el inversode la resistencia eléctrica medido en siemens.
10. ¿Cuál es el factor “overdrive” de los BJT?
Guarda carga innecesaria en la base, el cual se necesita eliminar antes de apagar el BJT lo cual aumenta el tiempo de apagado, pero a su vez ocasiona que la base se cargue antes haciendo que el tiempo de encendido sea menor.
11. ¿Cuál es el modelo de switcheo del BJT?
Si VCE =0 (switchcerrado) entonces Ic no puede ser mayor que VCC / RC, aun cuando la corriente y voltaje en la base sean mayores. El transistor está saturado. Por lo que los valores del voltaje de entrada pueden ser escogidos, tal que la salida está apagado o encendido, el transistor está actuando como un switch.
12. ¿Cuál es la causa del tiempo de retraso en los BJT?
El tiempo de retraso es requerido...
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