Dispositivos de potencia
Con este trabajo se pretende afianzar el desarrollo de competencias en el área de la electrónico, incrementando nuestro conocimiento en la mismo con los temas de la unidad 2, losFet's y su polarización y otros dispositivos PNPN , reconoceremos los diferentes dispositivos, y aplicaciones de los mismos. Simulando unos circuitos con estos.
CONTENIDO
1. POLARIZACIONESTRANSISTORES FET Y PROCESO DE DISEÑO
1.1 POLARIZACIONES DEL FET
1.1.1 Configuración de polarización fija.
1.1.2. Configuración de auto polarización.
1.1.3. Polarización mediante divisor de voltaje.1.1.4 FET de canal –p y curva de polarizaciones para JFET.
1.2 OPERACIONES DE DISEÑO.
1.2.1 Diseño de un circuito con transistor FET para la polarización Fija
1.2.2 Diseño de un circuito contransistor FET para auto polarización.
1.2.3 Diseño de un circuito con transistor FET para la polarización mediante divisor de voltaje.
2. FUNCIONAMIENTO DE LOS MOSFET DECREMENTALES E INCREMENTALES.Región lineal
Región saturación
Región de ruptura
Manejo de MOSFET.
2.1 MOSFET de tipo Decremental.
2.2 MOSFET de tipo Incremental.
2.3 CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN
3. SEMICONDUCTORESDE CUATRO CAPAS Y SUS APLICACIONES.
A. Realizar y describir un circuito de regulación de potencia utilizando un SCR o un TRIAC.
B. Con base en el circuito de la figura No. 7.24 del módulo,implementarlo en el simulador. Obtener los valores de R1 para 0 vatios de consumo, consumos del 50% y del 100%
C. Describir con un ejemplo el funcionamiento de un relé de estado sólido.
Proponer unaaplicación práctica mediante el simulador.
D. Realizar y describir un circuito oscilador utilizando un UJT.
DESARROLLO
1. POLARIZACIONES TRANSISTORES FET Y PROCESO DE DISEÑO
Realizar una presentaciónde cada una de las polarizaciones que puede tener un FET.
1.1 POLARIZACIONES DEL FET
1.1.1 Configuración de polarización fija.
Los circuitos básicos que se utilizan para polarizar los BJT se...
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