Ingeniero

Montaje de Componentes Críticos
1. Objetivo
Un componente crítico es aquel dispositivo que requiere la mayoría de nuestra atención y todo el cuidado en su etapa de montaje, para que no sea dañado de manera permanente y por lo tanto inutilizado de por vida.
2. Memorias
Para comenzar veremos las memorias ya que cada una tiene un elemento característico de montaje.
3.1. MemoriasSIMM de 30 Pines
Presentan capacidades de 256 Kbyte, 1 Mbyte y 4Mbyte. Su tensión de alimentación es de 5 Vcc. Posee una muesca para evitar que se inserte en el zócalo al revés.
3.2. Memorias SIMM de 72 Contactos
Su memoria es de 4, 8, 16, 32 y 64 Mbyte y también funciona con 5Vcc.
También posee una muesca para evitar su errónea inserción así como una muesca de posicionamiento en medio delos contactos de la memoria.
3.3. Instalación de la Memoria SIMM
* Para la SIMM de 30 pines se verifica que la muesca y el lado liso se encuentren orientados hacia el zócalo, se integran con un ángulo de 45º, con las SIMM de 72 es igual pero mas fácil gracias a la muesca de posicionamiento.
* Ya apoyada sobre el zócalo la memoria se endereza a 90º donde la memoria queda fijadagracias a una traba lateral.

3.4. Memorias DIMM de 186 Contactos
Maneja capacidades de 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512 Mbyte. Y trabajan con una tensión de 3,3 Vcc o 5Vcc según su tipo.
Se conecta directamente a los buses de control y la dirección del sistema, esta tecnología es la que se usa actualmente en maquinas hogareñas.
Posee ranuras de posicionamiento las cuales son las encargadas dedeterminar el tipo de tecnología y la tensión de alimentación del modulo.

3. Memorias DIMM DDR de 184 Contactos
Tienen 184 contactos, 92 por lado, pero el tamaño físico es el mismo. Su tensión de alimentación es de 2,5 o 1,8 voltios.
La doble traba de ranura nos permite insertar estos DDR en zócalos de simple o doble ranura.
Las DDR trabajan permitiendo la transferencia de datos en elflanco de subida de clock como en el flanco de bajada.

De este modo se duplica la cantidad de información que se mueve en cada ciclo.
4.5. DIMM DDR Unbuffered
Es el modulo mas económico de las DDR, pero esta limitado el numero de módulos que se pueden ocupar. Como característica principal tiene que el bus de direcciones llega a todos los chips DDR SDRAM.

4.6. DIMM DDRRegistered
Agregan un chip similar al utilizado en las SDRAM sobre el DIMM que permite duplicar la densidad de cada modulo.
El bus de direcciones no se conecta directamente con los chips de memoria DDR, lo hacen atreves del registered.

4.7. DIMM DDR2
Es la nueva tecnología de memorias que ira desplazando a las DDR, las nuevas características son:
* Duplica la cantidad de los datos usando2 relojes siendo así 4 datos por ciclo.
* Cuenta con 240 contactos y una ranura de posicionamiento.
* Velocidades desde 400 hasta 667 MHz y hasta 1GB de capacidad.
* Menor consumo de energía (1,8 Volts, un 50% menos).

4. Memorias RIMM RDRAM de 184 contactos
Las memorias RDAM están llegando al límite superior de la frecuencia de operación, nos encontramos con el problema que lacantidad de información que pueden transferir es superior a lo que ofrece la tecnología.
La tecnología DRAM utiliza canales específicamente diseñados para transportar los datos a y desde la memoria.
Un canal incluye un controlador de memoria, uno o mas módulos RIMM RDRAM y en el extremo mas lejano un terminador, el cual tiene como función cerrar el circuito final del canal, para que retornenciertas señales al controlador de memoria.

5.8. Instalación de los Módulos DIMM, DDR y RIMM
Estos tres módulos tienen mucho en común con respecto a sus contactos pero es imposible colocar un módulo de una tecnología en otra debido que las ranuras de posicionamiento no coinciden.
Para retirar un modulo hay que abrir las trabas que lo sujetan y luego retirarlo tirando hacia arriba....