Inmunologia

inmunologia
- medidas para investigar si el cambio ocurre a través de todo el espesor de la VO2. Todos los métodos mostró que este es el caso. Parece que el líquido iónico se inicia por una capa superficial de conmutación, induciendo con ello un límite de la fase aislante-metal en el VO2. Este límite de la fase pareceser tan intensivo de energía que las aislante-metal de fase ción transición cascabeles a través del resto de la película, impulsado por deformaciones colectivos de estructura reticular del material. ¿Hasta qué punto el cambio es provocado por el campo eléctrico y / o por las moléculas cargadas del líquido iónico-ción interactúan con la superficie de la muestra sigue siendo una cuestión abierta.Estos experimentos muestran que la tensión de metal-aislante-controlados transiciones son posibles y pueden resultar en cambios considerables en las propiedades electrónicas del material. La deslocalización de cargas a granel inmóvil en el VO2 películas debido a la aplicación de un campo Elec-tric a su superficie es un fenómeno que en última instancia, puede serexplotado para construir una nueva generación de conmutadores electrónicos. El móvil de portadores de carga de densidad que se puede conseguir en estos canales es significativamente mayor que la de los FET convencional, y portadora de alta densidades de los lazos son buscados para la miniaturización de los transistores.
Los autores observaron la transiciónaislante-metal, y por lo que el interruptor de un "on" a un "off" estado, en un rango de voltaje y temperatura que es realista para las aplicaciones. la
VO2 dispositivo que se muestra un aumento de diez veces en el canal actual para un cambio de 100 milivoltios en la tensión de puerta aplicada - para usar la jerga, un encendido / apagado de oscilación de cercade 100 mV por década. La relación medida de la sobre-corriente a la corriente fuera de la era de aproximadamente 100, y el dispositivo podría, inprinciple, la comparación operateatagatevoltageof1V.For, en baja potencia portátiles de hoy en día los dispositivos electrónicos, un encendido / apagado relación de corriente de un millón es deseable, con una oscilación de encendido / apagado deaproximadamente 90 mV por década en un voltaje de la puerta de alrededor de 1,5 V.
La posibilidad de operar el dispositivo en una tensión de puerta de 1 V ofrece la posibilidad de usarlo en la tecnología de baja potencia, a condición de que el comportamiento de conmutación puede ser mejorado. Cambios estructurales que tienen un papel en el cambio a menudo suceden a unritmo más lento que los cambios electrónicos, por lo que podría limitar la velocidad de conmutación. Sin embargo, incluso si la transición de fase se propaga a través de espesor de la película sólo en la velocidad del sonido, tiempos de conmutación muy por debajo de un nanosegundo eventualmente puede ser posible. La pregunta quema para posibles aplicaciones es si la conmutación se puede logrartambién en dispositivos en los que se sustituye el líquido iónico con un aislante sólido, como se requiere para la integración de un dispositivo en un circuito electrónico. Y, por supuesto, sería interesante saber
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el espesor del dispositivo de conmutación máxima por la que puede alcanzarse. Comprender mejor elmecanismo de conmutación del dispositivo, y los avances en ingeniería de materiales, podría abrir el camino hacia un interruptor de estado sólido.
Debido a que el cambio puede ocurrir por medio de una transición de fase las vibraciones a alta velocidad a través de la materia, las posibles aplicaciones del dispositivo podría extenderse mucho más allá de los...