Instrumentación simulación 1 graciano dieck
Páginas: 3 (642 palabras)
Publicado: 23 de marzo de 2011
INSTITUTO TECNOLÓGICO Y DE ESTUDIOS SUERIORES DE MONTERREY
CAMPUS MONTERREY
Dr. Graciano Dieck
INSTRUMENTACIÓN
S-01 INTRODUCCIÓN A LTSPICE IV
Versión 2
11 de Febrero de 2011
1.Capturando con LTspice.
Para capturar en LTspice se tienen que llamar mandar la librería en la cual encontraras una serie de componentes de donde elegir. Una vez elegido el componente se puede modificarfácilmente con detalle los parámetros. En cuestión de cableado y etiquetado se hace más sencillo, dado a que se encuentran los componentes directos en la barra superior.
En la práctica primero se haceun Nuevo archive File> New Schematic, y se guarda File>Save as… . A continuación se crea un Semiconductor de 0.5µm donde se guarda en “cmos_c5_param.txt”.
Se crean dos componentes un NMOS de “width1u, length 1u” y un PMOS de “width 2u, length 1u”.
Se crean 2 componentes de voltaje “5v” y “PULSE (0v 5v 0 0.1ns 0.1ns 20ns 50ns 3)”.
Se hace Análisis en Edit>SPICE Analysis
2. Diagrama
Parael diagrama se nos pide se etiqueten “VCC, VIN, Vout” respectivamente y se ponen sus respectivas tierras.
Figura 1. Así queda el circuito.
3. Simulación
Se hace la simulación Simulate>Run. Yse ven las trayectorias “VIN,Vout” en View>Visible Traces. Al crearse se pide que se separen Settings>Add Plot Pane, para poder ver la respuesta en diferentes gráficas.
Figura 2. Simulación delcircuito para VIN y Vout.
Figura 3. Se muestran tr y tf.
Figura 4. Se muestra tplh y tphl para sacar tp=tphl+tplh2=0.0608+0.04652=0.054ns
4. Obtener CL para el siguiente circuito para que tengala misma respuesta al inversor ya realizado.
Dónde: Rp=12.5K y RN=30K
Figura 5. tao de elevación y tao de caída del inversor.
En la figura 5 vemos como se obtuvo la taoE y taoC para así podersacar lo que es la Capacitancia de elevación y la Capacitancia de caída “Ce y Cc respectivamente”.
τaoE=Rp*Ce → 0.2003ns=12.5K*Ce → Ce= 0.1002ns12.5K
∴Ce= 80.16fF
τaoC=Rn*Cc →...
CAMPUS MONTERREY
Dr. Graciano Dieck
INSTRUMENTACIÓN
S-01 INTRODUCCIÓN A LTSPICE IV
Versión 2
11 de Febrero de 2011
1.Capturando con LTspice.
Para capturar en LTspice se tienen que llamar mandar la librería en la cual encontraras una serie de componentes de donde elegir. Una vez elegido el componente se puede modificarfácilmente con detalle los parámetros. En cuestión de cableado y etiquetado se hace más sencillo, dado a que se encuentran los componentes directos en la barra superior.
En la práctica primero se haceun Nuevo archive File> New Schematic, y se guarda File>Save as… . A continuación se crea un Semiconductor de 0.5µm donde se guarda en “cmos_c5_param.txt”.
Se crean dos componentes un NMOS de “width1u, length 1u” y un PMOS de “width 2u, length 1u”.
Se crean 2 componentes de voltaje “5v” y “PULSE (0v 5v 0 0.1ns 0.1ns 20ns 50ns 3)”.
Se hace Análisis en Edit>SPICE Analysis
2. Diagrama
Parael diagrama se nos pide se etiqueten “VCC, VIN, Vout” respectivamente y se ponen sus respectivas tierras.
Figura 1. Así queda el circuito.
3. Simulación
Se hace la simulación Simulate>Run. Yse ven las trayectorias “VIN,Vout” en View>Visible Traces. Al crearse se pide que se separen Settings>Add Plot Pane, para poder ver la respuesta en diferentes gráficas.
Figura 2. Simulación delcircuito para VIN y Vout.
Figura 3. Se muestran tr y tf.
Figura 4. Se muestra tplh y tphl para sacar tp=tphl+tplh2=0.0608+0.04652=0.054ns
4. Obtener CL para el siguiente circuito para que tengala misma respuesta al inversor ya realizado.
Dónde: Rp=12.5K y RN=30K
Figura 5. tao de elevación y tao de caída del inversor.
En la figura 5 vemos como se obtuvo la taoE y taoC para así podersacar lo que es la Capacitancia de elevación y la Capacitancia de caída “Ce y Cc respectivamente”.
τaoE=Rp*Ce → 0.2003ns=12.5K*Ce → Ce= 0.1002ns12.5K
∴Ce= 80.16fF
τaoC=Rn*Cc →...
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