Introducción a la ciencia e ingeniería de materiales estructura interna de los materiales
Páginas: 3 (551 palabras)
Publicado: 16 de abril de 2010
Introducción a la ciencia e ingeniería de materiales Estructura interna de los materiales
Descripción del material (GaAs):
El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es unimportante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas.
Propiedades másrelevantes:
Arseniuro de galio |
|
General |
º | Arseniuro de galio |
Otros nombres | ? |
Fórmula química | GaAs |
Masa molar | 144.645 g/mol |
Apariencia | Cristales cúbicos grises |Número CAS | Plantilla: CASREF |
Propiedades |
Densidad y estado | 5.3176 g/cm³, sólido. |
Solubilidad en agua | < 0.1 g/100 ml (20°C) |
Punto de fusión | 1238°C (1511 K) |
Punto de ebullición | ?°C (? K) |
Propiedades electrónicas |
Ancho de banda prohibida a 300 K | 1.424 eV |
Masa efectiva del electrón | 0.067 me |
Masa efectiva Light hole | 0.082 me |
Masa efectiva Heavy hole | 0.45 me|
Movilidad del electrón a 300 K | 9200 cm²/(V·s) |
Movilidad del hueco a 300 K | 400 cm²/(V·s) |
Estructura |
Estructura cristalina | Cúbica (Zinc Blenda) |
A no ser que se diga lo contrario,estos datos son para
materiales en condiciones normales (a 25°C, 100 kPa) |
Aplicaciones industriales:
La masa efectiva de la carga eléctrica del GaAs tipo N dopado es menor que en el silicio del mismotipo, por lo que los electrones en GaAs se aceleran a mayores velocidades, tardando menos en cruzar el canal del transistor. Esto es muy útil en altas frecuencias, ya que se alcanzará una frecuenciamáxima de operación mayor.
Esta posibilidad y necesidad de trabajar con circuitos que permitan actuar a mayores frecuencias tiene su origen en las industrias de defensa y espacial, en el uso de radares,comunicaciones seguras y sensores. Tras el desarrollo por parte de programas federales, pronto el GaAs se extendió a los nuevos mercados comerciales, como redes de área local inalámbricas...
Descripción del material (GaAs):
El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es unimportante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas.
Propiedades másrelevantes:
Arseniuro de galio |
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General |
º | Arseniuro de galio |
Otros nombres | ? |
Fórmula química | GaAs |
Masa molar | 144.645 g/mol |
Apariencia | Cristales cúbicos grises |Número CAS | Plantilla: CASREF |
Propiedades |
Densidad y estado | 5.3176 g/cm³, sólido. |
Solubilidad en agua | < 0.1 g/100 ml (20°C) |
Punto de fusión | 1238°C (1511 K) |
Punto de ebullición | ?°C (? K) |
Propiedades electrónicas |
Ancho de banda prohibida a 300 K | 1.424 eV |
Masa efectiva del electrón | 0.067 me |
Masa efectiva Light hole | 0.082 me |
Masa efectiva Heavy hole | 0.45 me|
Movilidad del electrón a 300 K | 9200 cm²/(V·s) |
Movilidad del hueco a 300 K | 400 cm²/(V·s) |
Estructura |
Estructura cristalina | Cúbica (Zinc Blenda) |
A no ser que se diga lo contrario,estos datos son para
materiales en condiciones normales (a 25°C, 100 kPa) |
Aplicaciones industriales:
La masa efectiva de la carga eléctrica del GaAs tipo N dopado es menor que en el silicio del mismotipo, por lo que los electrones en GaAs se aceleran a mayores velocidades, tardando menos en cruzar el canal del transistor. Esto es muy útil en altas frecuencias, ya que se alcanzará una frecuenciamáxima de operación mayor.
Esta posibilidad y necesidad de trabajar con circuitos que permitan actuar a mayores frecuencias tiene su origen en las industrias de defensa y espacial, en el uso de radares,comunicaciones seguras y sensores. Tras el desarrollo por parte de programas federales, pronto el GaAs se extendió a los nuevos mercados comerciales, como redes de área local inalámbricas...
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