JFET

Practica 7. Curva V‐I del JFET




ELECTRÓNICA ANÁLOGA






INTEGRANTES:
DRIDEN ALEXANDER BURBANO BURBANO
JUAN CAMILO MERCADO RUBIO





PROFESOR:
GUILLERMO ADOLFO DAVID NUÑEZ





UNIVERSIDAD DESAN BUENAVENTURA
FACULTAD DE INGENIERIA
SANTIAGO DE CALI
Mayo DE 2015
Objetivos.
Familiarizarse con la forma y terminales de algunos de los transistores FET (JFET y MOSFET).
Identificar losterminales y el tipo de transistor FET con ayuda del multímetro y/o del manual ECG.
Obtener las curvas V‐I de salida en un transistor FET en configuración de Fuente Común.
Materiales.
Equipos y materialesComponentes
6 Caimanes
1 Transistor 2SK104
2 Multímetros digitales
2 resistencias 330kΩ y 4,7kΩ a ½ W
Fuente DC dual
1 Transistor IRF730
1 Multímetro análogo

1 Manual ECG

1 Protoboard

KitCaracterísticas del transistor.
2SK104











IRF730


























2. PRUEBA Y VERIFICACIÓN DEL FET CON EL MULTÍMETRO
Prueba del transistor FET


Ahora que sabemos que es un transistor FET,podremos probar su estado con ayuda de un multímetro analógico o digital. Los pasos para la prueba de un transistor FET, se describen a continuación.

1- En la función de diodos del multímetro, vamos acolocar la punta de prueba negra (-) del multímetro, en el terminal Drain y la punta roja (+) en el terminal Source.


Resultado de la prueba: Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Losresultados varían según el tipo de FET). Si no se obtiene ninguna lectura, el FET está en circuito abierto. Si la lectura es baja, el FET está en cortocircuito.





2 - Sin retirar la punta negra delterminal Drain, colocamos la punta roja en el terminal Gate.



Resultado de la prueba: No se debe obtener lectura alguna, de lo contrario el FET presenta una fuga o está en cortocircuito.













3-Ahora regresamos la punta roja al terminal Source, con lo que la juntura Drain - Source se activa.


Resultado de la prueba: Entre Drain y Source se obtiene una lectura baja, alrededor de 0.82mv,...