la formula

Fabricación de Transistores

Los transistores suelen construirse de Ge o de Si según la técnica usada. Los transistores de aleación prácticamente se usan sólo con el Ge, debido en gran parte a sutemperatura de fusión mucho más baja que la del Si.
Transistores de aleación
Por este procedimiento se puede realizar transistores PNP de Ge de pequeña y mediana potencia (hasta 150 W). Normalmentese parte de discos de Ge monocristalino tipo N. Se coloca en un molde de grafito, a la vez que se introducen dos bolitas del componente de la aleación que se quiere formar (para este caso In). La demayor tamaño se coloca en la cara destinada al colector y la más pequeña para el emisor. El conjunto se introduce en un horno con una atmósfera neutra o ligeramente reductora y se realiza el proceso devuelco. A una temperatura de 600 ºC se forma una aleación eutéctica de In-Ge que contiene el 24% de Ge, una vez girado el molde 90ºC. A continuación se gira dicho molde 180 ºC para la formación delemisor. Los tiempos de permanencia en cada fase determinan la profundidad de las uniones base-emisor y base-colector.
Las aplicaciones más importantes de estos transistores son para baja frecuencia yconmutación media de baja potencia, así como para usos generales que no exijan rendimientos elevados.

Existe una variante para señales débiles que son las de aleación difusa. Estos son básicamenteiguales a los de aleación, pero haciendo que el emisor forme en una aleación de In como Ge tipo N fuertemente dopado como muestra la figura de la izquierda. Esto es debido a que entre las dos capas deconductividades diferentes, existe un campo acelerado, disminuyendo el tiempo de tránsito.





FABRICACION DE UN TRANSISTOR
En la siguiente figura se muestra detalladamente el proceso defabricación de un transistor MOS (MOSFET).

No es la única forma de hacerlo, pero es un proceso típico:

1. Se parte de la oblea de material semiconductor.
2. Se hace crecer una capa de óxido...