Memoria Flash
Las tarjetas de memoria flash están hechas de muchísimas celdas microscópicas que acumulan electrones con diferentes voltajes a medida que la electricidad pasa a través de ellas, creando así un mapa de diferentes cargas eléctricas. De este modo la tarjeta logra guardar la información que el usuario requiere. Mientras máscompacta esté distribuida su estructura, mayor información almacena, y asimismo también aumentan los costos en la fabricación de estos dispositivos.
En comparación con los discos duros convencionales, las tarjetas de memoria flash resultan ser bastante caras, ya se eleva la relación precio-capacidad de almacenaje. Sin embargo, vale la pena el gasto debido a lo cómodas que son, ocupando muy pocoespacio y teniendo un peso bastante menor. Por otra parte estos precios disminuyen a medida que la tecnología avanza, y hoy es posible encontrar a precios muy convenientes memorias de más de 1 giga, tamaño de almacenamiento hace algunos años disponible únicamente para discos duros.
Lectores de tarjetas de memoria
Se debe tener en cuenta que existen lectores de tarjetas de memoria a formatomúltiple y la mayoría se puede conectar a un puerto USB.
Características: Otra característica de gran interés es que funciona bajo temperaturas extremas (-25º hasta los 85º).
Desventajas:
En lo referente a defectos hay que mencionar que solo permite una cantidad finita de escrituras y borrados (generalmente entre 10.000 y un millón), dependiendo de la celda, la precisión y el voltaje necesario para suborrado. Inicialmente almacenaban 8 MB, pero actualmente almacenan más de 64 GB, con una velocidad de hasta 20 MB/s.
Tipos de tarjetas de memoria
Existen muchos tipos de formatos de tarjetas de memoria que compiten y son incompatibles (casi una por fabricante). Dentro de estos formatos de tarjetas de memoria, los más comunes son:
Compact Flash
Tarjetas Secure Digital (llamadas tarjetas SD)Memory Stick
SmartMedia
MMC (MultimediaCard)
xD picture card
-MEMORIA TIPO NOR: Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo eléctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrón injection. Paraborrar (poner a “1”, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la técnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecánico – cuántico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero,...
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