Microestructuras e imperfecciones cristalinas

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* Micro estructuras e imperfecciones cristalinas
* Micro Estructuras e Imperfecciones Cristalinas
* La sustancia cristalina casi nunca es perfecta en su geometría, haciéndose regla mas que excepción. Existen diferentes tipo de defectos. Según la tabla como se indica:
* Defectos de punto
1. Defectos de vacancia.
2. Defectos de Schottiky.
3. Defectos Intersticiales.4. Defectos de Frenkel.
5. Impureza Sustitucional.
6. Impureza Intersticial.
7. Concentración de Defectos de Punto en Equilibrio Térmico.
* Defectos de punto.
1. Defectos de Vacancia.
En una retícula en la que cada átomo ocupa su lugar normal, cada lugar se llama sustitucional. Existe defectos de vacancia cuando falta un átomo en su lugar normal. Resultado de acomodamientosimperfectos durante la cristalización original o pueden venir de vibraciones térmicas de los átomos a temperaturas elevadas, porque la energía térmica es aumentada, y existe una mayor probabilidad de que átomos individuales brinquen fuera de su posición de menor energía. Las vacancias pueden ser simples o pueden condenarse en una doble vacancia o en una triple
1. Defectos de Vacancia (imagen)* Defectos de punto.
2. Defectos de Schottiky
Son defectos de vacancia doble que se dan en un material de naturaleza iónica, este es, carga balanceada formada por iones positivos y negativas. La faltante de un ion positivo obliga a la falta de un negativo.
* 2. Defectos de Schottiky (imagen).
* Defectos de punto.
3. Defectos Intersticiales. (átomo extra)
Se da cuando se puedeacomodar un átomo extra en la red fuera del orden de filas y columnas establecido, particularmente cuando el factor de acomodamiento es bajo. Tales imperfecciones producen distorsión en la red.
* 3. Defectos Intersticiales.
* Defectos de punto.
4. Defectos de Frenkel.
Tienen lugar cuando un átomo se mueve de su lugar normal (formando vacancia) y se transfiere a un intersticio, nonecesariamente próximo a la vacancia.
* 4. Defectos de Frenkel
* Defectos de punto.
5. Impureza Sustitucional.
Involucra un átomo de otro elemento, esto es, un átomo de impureza que ocupa un lugar sustitucional en la retícula
* 5. Impureza Sustitucional.
* Defectos de punto.
6. Impureza Intersticial.
Tiene lugar si el átomo de impureza ocupa un lugar intersticial.
* 6.Impureza Intersticial.
* 7.Concentración de Defectos de Punto en Equilibrio Térmico.
Esto significa que a una temperatura cualquiera existe una determinada concentración de defectos de punto (defectos que nacen y mueren), y que esta concentración, varia con la temperatura. Esta concentración está expresada por la ley de Arrhenlus.
Donde n es el número de lugares vacantes.
En N sitios olugares de retícula.
Sigue Es que es la energía requerida para mover un átomo del interior a la superficie.
R es la constante universal de los gases =1.98 cal/mol.
T es la temperatura expresada en grados Kelvin.
Y e es la base de los logaritmos naturales.
Esta concentración varía en forma exponencial con la temperatura.
* Defectos de Línea
1. Deformación Plástica
2. Dislocaciones3. Dislocación de Borde
4. Dislocación de tornillo
5. Dislocación mixta
6. Energía de dislocación
7. Movimiento de dislocaciones
8. Desplazamiento cruzado y escalamiento de dislocaciones.
9. Multiplicación de Dislocaciones
* 1. Deformación Plástica
De acuerdo con los cálculos, el esfuerzo necesario para producir la deformación de un cristal es asombrosamente másgrande que los esfuerzos aplicados calculados en términos de las fuerzas cohesivas entre átomos.
En la siguiente diapositiva se muestra dos planos adyacentes de un cristal de magnesio. Si se aplica un esfuerzo cortante se tenderán a mover a la izquierda los átomos del plano superior. Cada átomo del plano superior se eleva a su posición máxima.
Esta posición máxima representa un punto de...
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