Mosfet

Solo disponible en BuenasTareas
  • Páginas : 5 (1181 palabras )
  • Descarga(s) : 15
  • Publicado : 18 de marzo de 2010
Leer documento completo
Vista previa del texto
INTRODUCCIÓN. Transistor de Efecto de Campo de Señal
Puerta (G) Contacto metálico Drenador (D)

Fuente (S)

TEMA 4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE POTENCIA
4.1. INTRODUCCIÓN 4.1.1. Transistor de Efecto de Campo de Señal 4.2. TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN 4.2.1. Transistor VMOS 4.2.2. Transistor D-MOS 4.2.3. Transistor Trenched-MOS 4.2.4. Evolución del Transistor MOS 4.3. FUNCIONAMIENTO DELTRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE POTENCIA 4.4. DIODO EN ANTIPARALELO 4.4.1. Conmutación en una Rama de un Puente 4.5. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS, DINÁMICAS Y TÉRMICAS 4.6. ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA
SiO2 SiO2 n+ Canal inducido n n+ SiO2

Sustrato p

Sustrato (B) Transistor de Señal MOSFET de Enriquecimiento, Canal n

Tema 4. MOS. Transparencia 1 de 18

Tema 4. MOS. Transparencia 2 de 18 INTRODUCCIÓN. Transistor de Efecto de Campo de Señal
iD D iD VGS Ohmica Saturación Ruptura

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. Transistor VMOS (Siliconix-1976)

S n+ ep

G

S n+ p

G S

VDS

e-

VGS

Canal
Corte

a) Símbolo

b) Curva Característica Transistor MOS Canal N de Enriquecimiento

VBV VBD

VDS

n

Zonas de funcionamiento del transistor MOS: Zona de corte, VGS VBD.Tema 4. MOS. Transparencia 3 de 18

Tema 4. MOS. Transparencia 4 de 18

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. Transistor DMOS
Sección de una celdilla elemental Fuente Puerta

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. Transistor Trenched-MOS
S G SiO2 S G

n+

n+ p

n+

n+

SiO2 óxido de puerta n+ p (sustrato) n
-

p

p

n+

n+
canal

n+ p

1019 cm-3 1016 cm-3
Canal

L

10 … 1015cm-3
14

n-epitaxial

n+ (oblea)

iD

iD

1019 cm-3

n+-oblea

Drenador

D

Sección de un Transistor DMOS de Enriquecimiento Canal n

Transistores MOS de potencia modernos: “Transistores con Trinchera”

Tema 4. MOS. Transparencia 5 de 18

Tema 4. MOS. Transparencia 6 de 18

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. Evolución del Transistor MOS

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR D-MOSVGS1 átomos aceptores ionizados electrones libres

n+ límite de la zona de deplexión

p n
-

a) Para valores bajos de VGS y VDS
VGS2

Evolución en el tiempo de las generaciones de transistores MOS a partir de DMOS hasta los transistores con trinchera.
n+ límite de la zona de deplexión

p n
-

b) Para valores bajos de VDS (VGS2 > VGS1 , VGS2 < VT)

Tema 4. MOS. Transparencia 7 de18

Tema 4. MOS. Transparencia 8 de 18

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR D-MOS
VGS3

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR D-MOS
VGS 3

n+ límite de la zona de inversión límite de la zona de deplexión p n
-

n+

límite de la zona de inversión límite de la zona de deplexión

p

n−

c) Para valores bajos de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
VGS4

e) Para valores mayores de VDS (VGS3 > VGS2,VGS3 > VT)

n+ límite de la zona de inversión límite de la zona de deplexión
-

p n

d) Para valores mayores de VDS (VGS4 > VT)

Tema 4. MOS. Transparencia 9 de 18

Tema 4. MOS. Transparencia 10 de 18

DIODO EN ANTIPARALELO
S n+ E G

DIODO EN ANTIPARALELO. Conmutación en una Rama de un Puente
T1 D1 IDiodo IL Carga inductiva VDD

B p nC

T2
D

D2 IDrenador VDD

C

GB E S

Transistor Bipolar asociado al Transistor MOS

El transistor MOS con el Diodo en Antiparalelo Conmutando una Carga Inductiva en una rama de un Puente.

Tema 4. MOS. Transparencia 11 de 18

Tema 4. MOS. Transparencia 12 de 18

DIODO EN ANTIPARALELO. Conmutación en una Rama de un Puente

DIODO EN ANTIPARALELO. Conmutación en una Rama de un Puente
DA

DB

Diodos RápidosAñadidos al Transistor

La velocidad de subida o bajada de la tensión VGS se controla fácilmente con el valor de la resistencia de la fuente de excitación de puerta.

Tema 4. MOS. Transparencia 13 de 18

Tema 4. MOS. Transparencia 14 de 18

Efecto de las Capacidades Parásitas en la Tensión de Puerta
Carga CGD D Transistor MOS Vcom

Efecto de las Capacidades Parásitas en la Tensión de...
tracking img