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Actividad

Realizar un cuadro comparativo con las características eléctricas, ventajas, desventajas y símbolos correspondientes, de los elementos que se conectan a la puerta o compuerta de un SCR para producir el disparo.
Por ejemplo: Diodo Shockley (diodo de 4 capas), SUS, SBS, UJT, PUT, DIAC.

COMPONENTES
CARACTERISTICAS ELECTRICAS
SIGNIFICADO
APLICACIONES
QUIEN LO DESCUBRIO
DIODOSHOCKLEY

Las características eléctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la gráfica.
.-Zonadirecta(V>0)
1.a) Región de corte. El diodose encuentra en corte con unascorrientes muy bajas. En esta región se puede modelar como una resistencia ROFF de valor

1.b) Región de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo es suficientemente alta se produce la ruptura de launión con unincremento muy elevado en corriente comportándose eldiodo como si fuera una resistencia negativa debido a la realimentación positiva de su estructura.
1.c) Región de saturación o conducción. En esta región, la caída de tensión entre ánodo y cátodo está comprendida entre 0.5V y 1.5V, prácticamenteindependiente de la corriente. Se mantendrá en este estado siempre que la tensión ycorriente alcancen unos valores mínimos conocidos como niveles de mantenimiento definidos por VH e IH.
2.- Zona inversa (V < 0 )
2.a) Región de ruptura. El diodo puede soportar una tensión máxima inversa VRSMque superado ese valor entra en conducción debido a fenómenos de ruptura por avalancha.



Diodo de cuatro capas.(npnp)

Este dispositivo fue desarrollado por William Bradford Shockley trasabandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor
Fueron fabricados por Clevite-Shockley.
SUS
Es un dispositivo de tres terminales (ánodo, cátodo y compuerta) el cual
conduce en una sola dirección de ánodo a cátodo cuando el voltaje en el primero es mayor que en el segundo.
Presenta características eléctricas muy similares a la de un diodo de cuatro capas; sin embargo, lapresencia de la
terminal de compuerta le permite controlar su voltaje de disparo. Por su carácter unidireccional es utilizado para el
control de SCR´s y para el control de TRIACS. .
Interruptor unilateral de silicio (Silicon Unilateral Switch)


SBS

Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada;
esta terminal solamente proporciona mayor flexibilidad en el disparo ypor tanto altera sus características de voltaje-corriente. Si se comparara
esta curva característica con la de un DIAC, se podría observar que son
muy similares; sin embargo, la curva del SBS tiene una región de
resistencia negativa más pronunciada, lo que significa que su caída de
voltaje es mucho más drástica después de llegar a su estado de
conducción. Usualmente, el voltaje de ruptura deun SBS se encuentra
entre los 7 y 9 voltios, cuyo voltaje es mucho menor que el de un
DIAC.
Uso de la compuerta del SBS para modificar la curva
característica de un SBS.

La compuerta de un SBS es usada para alterar el comportamiento
mostrado en la curva característica Voltaje-Corriente; por ejemplo, si
se desea tener ángulos de disparo diferentes en los semiciclos positivos
y negativos,se puede conectar un diodo Zener entre la compuerta G y
la terminal T1, con la finalidad de que el voltaje de ruptura directo
llegue hasta el valor de voltaje del diodo Zener, mientras que el voltaje
de ruptura inverso no se modifica. Con esto, se logra modificar el
voltaje de ruptura original a uno determinado por el "usuario" para una
aplicación cualquiera, aunque no es común tenerdiferentes ángulos de
ruptura.
Un SBS o Interruptor Bilateral de Silicio, por sus siglas en
inglés (Silicon Bilateral Switch) es un tiristor del tipo
bidireccional, que está compuesto por dos tiristores
unidireccionales o SUS conectados en antiparalelo.
Al igual que
los tiristores UJT, PUT y SUS, el SBS es utilizado en circuitos
osciladores de relajación para el control de...