Parámetros Y Polarizacion Fet
Páginas: 4 (836 palabras)
Publicado: 29 de octubre de 2012
PRACTICA N° 1
"PARAMETROS Y AUTOPOLARIZACION DEL JFET"
OBJETIVO: Obtener los parámetros y curva de transconductancia del JFET así como comprobar la autopolarización del mismo.INTRODUCCION:
Los transistores son los elementos básicos para la amplificación de señales eléctricas . Existen dos tipos básicos de transistores. El transistor bipolar (BJT) y el transistor de efecto decampo (FET), en los cuales los portadores son de un solo tipo y por tanto, se llaman unipolares; son los transistores de efecto de campo, llamados así porque el control de la corriente que se ejercemediante la influencia de un campo eléctrico exterior.
A la entrada de un FET se le llama GATE (G), la cual es análoga a la base del transistor, y existen dos tipos de FETs :
• FET o JFET(Juntion Field Effect Transistor).
• MOST o MOSFET, o IGFET (Metal Oxide Semiconductor Transistor o Insulated Gated Field Effect Transistor).
Un transistor de efecto de campo (FET)esta constituido por una barra de semiconductor tipo N llamada canal, que presenta dos terminales al exterior: fuente y drenando, con dos regiones de material tipo P a ambos lados, unidas entre siformando la terminal de puerta (Figura 1a).
Este transistor se presenta esquemáticamente según la Figura 1b y se llama FET de canal N. Cuando el canal es de semiconductor tipo P y las regioneslaterales de tipo N (Figura 2) recibe el nombre de canal P.
Las terminales citadas anteriormente son:
* Fuente o Surtidor S (Source): Terminal por donde entran los portadoresprovenientes de la fuente externa de polarización.
*Drenado D (Drain): Terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que atraviezan el canal.
* Puerta G (Gate):Terminal constituida por dos regiones fuertemente impurificadas a ambos lados del canal y que controlan en éste la cantidad de portadores que lo atraviesan.
Su principio de funcionamiento se...
"PARAMETROS Y AUTOPOLARIZACION DEL JFET"
OBJETIVO: Obtener los parámetros y curva de transconductancia del JFET así como comprobar la autopolarización del mismo.INTRODUCCION:
Los transistores son los elementos básicos para la amplificación de señales eléctricas . Existen dos tipos básicos de transistores. El transistor bipolar (BJT) y el transistor de efecto decampo (FET), en los cuales los portadores son de un solo tipo y por tanto, se llaman unipolares; son los transistores de efecto de campo, llamados así porque el control de la corriente que se ejercemediante la influencia de un campo eléctrico exterior.
A la entrada de un FET se le llama GATE (G), la cual es análoga a la base del transistor, y existen dos tipos de FETs :
• FET o JFET(Juntion Field Effect Transistor).
• MOST o MOSFET, o IGFET (Metal Oxide Semiconductor Transistor o Insulated Gated Field Effect Transistor).
Un transistor de efecto de campo (FET)esta constituido por una barra de semiconductor tipo N llamada canal, que presenta dos terminales al exterior: fuente y drenando, con dos regiones de material tipo P a ambos lados, unidas entre siformando la terminal de puerta (Figura 1a).
Este transistor se presenta esquemáticamente según la Figura 1b y se llama FET de canal N. Cuando el canal es de semiconductor tipo P y las regioneslaterales de tipo N (Figura 2) recibe el nombre de canal P.
Las terminales citadas anteriormente son:
* Fuente o Surtidor S (Source): Terminal por donde entran los portadoresprovenientes de la fuente externa de polarización.
*Drenado D (Drain): Terminal por donde salen los portadores procedentes de la fuente y que atraviezan el canal.
* Puerta G (Gate):Terminal constituida por dos regiones fuertemente impurificadas a ambos lados del canal y que controlan en éste la cantidad de portadores que lo atraviesan.
Su principio de funcionamiento se...
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