practica 2“PARAMETROS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (JFET)”



UMSNH
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA II

PRÁCTICA NUMERO 2 “PARAMETROS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (JFET)”

RODRIGUEZ LOPEZ EFRAIN
MATRICULA0853412
EQUIPO NUMERO 4
GRUPO 303 – 01 (MARTES DE 13 – 15 HRS)
ING. JOSE LUIS GONZALEZ AVALOS
MARTES 30 DE ABRIL DEL 2013



PARAMETROS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (JFET)OBJETIVO: Obtener los parámetros y curva de transconductancia de un Transistor de Efecto de Campo (JFET).

DESARROLLO DE LA PRÁCTICA:
1. Medición de
Del circuito 1, la polarización de la unión de lacompuerta fuente se encuentra en polarización inversa al conectar la compuerta a tierra, se tiene una fuente de corriente directa de 0 a 15 volts. Esta fuente tiene el propósito de incrementar al voltajehasta alcanzar la región de saturación del canal FET.
Para obtener el ajustamos el voltaje de la fuente variable a 0 V. Luego se incrementa el voltaje de la fuente lentamente y se observa elincremento de corriente hasta que esta permanezca constante, en este punto la corriente es = .

Con el multimetro medimos y obtuvimos:
= 3.15 mA.

2. Obtención del ó .
Para medir el se utilizael siguiente circuito.

En este circuito el voltaje de alimemntacion es fija de 12 volts.
A la compuerta se le aplica un voltaje negativo utilizando un potenciómetro conectado a una fuente de -5V aGnd.
Para medir el , se incrementa el voltaje de compuerta (NEGATIVO) hasta que sea cero. En este momento = .
Con el multimetro obtuvimos = -1.524 Vollts.

3. Obtención de la curva detransconductancia.
Del circuito anterior tomar las lecturas para obtener la curva de transconductancia del JFET.

(mA)

2.8 mA
0
2.49 mA
-186 mV
2.44 mA
-202 mV
2.27 mA
-254 mV
2.14 mA
-294mV
2 mA
-336 mV
1.83 mA
-376 mV
1.76 mA
-417 mV
1.58 mA
-478 mV
1.36 mA
-562 mV
1.14 mA
-648 mV
1.04 mA
-690 mV
0.89 mA
-733 mV
0.66 mA
-850 mV
0.53 mA
-930 mV
0.46 mA
-969 mV...