Practica bjt

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
Escuela de Ingenierías Eléctrica, Electrónica y de Telecomunicaciones
Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto
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PRACTICA DE ELECTRONICA ANALOGICA
EL BJT COMO AMPLIFICADOR

INTRODUCCION.

El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene dos terminales.Este consiste en un material de tipo p y uno de tipo n; el transistor consiste en dos materiales de tipo n separados por un material de tipo p (transistor npn) o en dos materiales p separados por un material n (transistor pnp). En la figura 2.4(a) se incluye la representación esquemática de un transistor.
Las tres capas o secciones diferentes se identifican como emisor, base y colector.
El emisor,capa de tamaño medio diseñada para emitir o inyectar electrones, está bastante contaminado. La base, con una contaminación media, es una capa delgada diseñada para pasar electrones. El colector, capa grande diseñada para colectar electrones, está poco contaminado.
El transistor se puede concebir como dos uniones pn colocadas "espalda contra espalda", éstas se denominan transistores bipolares deunión (BJT, bipolar función transistor).

Transistror npn transistor pnp



REGIONES DE OPERACIÓN DEL BJT
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni enla región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como unamplificador de señal.
Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es drásticamentemenor al presente en modo activo.
Región de corte: Un transistor está en corte cuando: Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base= 0 (Ib 0)
Región de saturación: un transistor está saturado cuando: corriente de colector =corriente de emisor =corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es losuficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (Recordar que Ic = β * Ib).

OBJETIVOS.
* Encontrar los valores de resistencias y fuentes de continua para el cual el transistor entre en la región de activa y pequeña señal.
* Identificar la configuración del transistor.
* encontrar la ganancia del transistor y su resistencia de entrada y desalida.
* Variando la fuente de dc mirar en que valor se satura el transistor.

ACTIVIDADES DE LABORATORIO.

1. Construya el circuito de la figura

2. Establecer la señal de la fuente a 10 KHz y establecer la amplitud para hacer a Vin alrededor de 10 mV. Usted medirá Vout para observar los valores pico a pico con el osciloscopio. Esto se puede aprovechar al usar “externaltrigger” del...