Practica De Caracterizacion De Un Transistor Bjt

LABORATORIO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES.

PRACTICA 1
CARACTERIZAR EL TRANSISTOR BJT.
EQUIPO: 12

INTEGRANTES:
HERNANDEZ ALVA SALVADOR
ROMERO TORRES OMAR
GONZALEZ FRANCISCO ROBERTO ANTONIO

Practica 1
Caracterizar el Transistor BJT.
Objetivos.
• El alumno medirá algunas características del transistor bipolar de unión (BJT).
• El alumno comparará los parámetros teóricos con losexperimentales.
Desarrollo Teórico:
1. Obtener la hoja de especificaciones del fabricante para el transistor 2n2222.
2. Simular el Circuito 1 en el programa PSPICE student y obtener los datos de la Tabla 1, el voltaje de polarización de base (VBB) cambiará de acuerdo a las especificaciones de la tabla, el voltaje de .polarización de colector es de 5 v (VCC=5v).
3. Dibujar la gráfica Ib vsVbe.
4. Dibujar la gráfica Ic vs Vce.
Figura 1. Circuito en LTspice IV.

VBB | Vb | Ve | Vbe | Vce | Vcb | Ie | Ib | Ic | β |
0 | 5.00E-08 | 1.1E-12 | 5.00E-08 | 5 | 5 | 1.05E-14 | -5.00E-12 | -5.01E-12 | -1.001 |
0.1 | 0.1 | 1.51E-11 | 0.1 | 5 | 4.9 | 1.51E-13 | -4.80E-12 | -5.40E-12 | -1.12503 |
0.2 | 0.2 | 2.42E-09 | 0.2 | 5 | 4.8 | 2.42E-11 | -4.48E-12 | -2.87E-11 | -6.395 |
0.3 |0.3 | 1.17E-08 | 0.3 | 5 | 4.7 | 1.14-9 | 1.04E-12 | -1.14E-09 | 1.10E+03 |
0.4 | 0.39997 | 5.96E-06 | 0.39999 | 5 | 4.6 | 5.47E-08 | 2.56E-10 | -5.44E-08 | 212.654 |
0.5 | 0.49987 | 2.57E-04 | 0.4996 | 5 | 4.5 | 2.57E-06 | 1.22E-08 | -2.55E-06 | 209.088 |
0.6 | 0.596 | 0.791 | 0.58831 | 4.95 | 4.4 | 7.91E-05 | 3.77E-07 | 7.87E-05 | 208.832 |
0.7 | 0.6784 | 0.4505 | 0.6334 | 4.95 | 4.32 |4.51E-04 | 2.15E-06 | 4.48E-04 | 208.353 |
0.8 | 0.7527 | 0.9876 | 0.6539 | 4.9 | 4.25 | 9.88E-04 | 4.70E-06 | 9.83E-04 | 207.866 |
0.9 | 0.8241 | 0.1579 | 0.66629 | 4.84 | 4.17 | 1.58E-03 | 7.58E-06 | 1.57E-03 | 207.327 |
1 | 0.8944 | 0.21925 | 0.6752 | 4.78 | 4.1 | 2.19E-03 | 1.05E-05 | 2.18E-03 | 206.932 |
1.2 | 1.032 | 0.3456 | 0.68723 | 4.65 | 3.97 | 3.46E-03 | 1.67E-05 | 3.44E-03 |205.68 |
1.4 | 1.1695 | 0.47372 | 0.6958 | 4.53 | 3.83 | 4.74E-03 | 2.30E-05 | 4.71E-03 | 204.566 |
1.6 | 1.3 | 0.6027 | 0.7025 | 4.4 | 3.94 | 6.03E-03 | 2.94E-05 | 6.00E-03 | 203.465 |
1.8 | 1.44 | 0.732 | 0.708 | 4.27 | 3.56 | 7.32E-03 | 3.60E-05 | 7.28E-03 | 202.372 |
2 | 1.57 | 0.8615 | 0.71267 | 4.14 | 3.43 | 8.62E-03 | 4.26E-05 | 8.57E-03 | 201.287 |
2.5 | 1.91 | 1.184 | 0.72268 |3.82 | 3.09 | 1.18E-02 | 5.93E-05 | 1.18E-02 | 198.612 |
3 | 2.23 | 1.5 | 0.7294 | 3.49 | 2.76 | 1.51E-02 | 7.64E-05 | 1.50E-02 | 195.99 |
3.5 | 2.56 | 1.83 | 0.7355 | 3.17 | 2.44 | 1.83E-02 | 9.39E-05 | 1.82E-02 | 193.437 |
4 | 2.88 | 2.142 | 0.7408 | 2.86 | 2.12 | 2.14E-02 | 1.12E-04 | 2.13E-02 | 190.936 |
Tabla 1. Datos Obtenidos en el Simulador.

Grafica 1. Ib vs Vbe. Obtenida en laSimulación

Grafica 2. Ic vs Vce. Obtenida en la Simulación.
Desarrollo Experimental:
1. Medir los valores reales de las resistencias de 100Ω y 10KΩ.
R 100 = 98.50Ω R 10K = 9.97kΩ
2. Armar el Circuito 1.
3. Ajustar cada uno de los voltajes de polarización de base (VBB) que se indican en la Tabla 2 y realizar las mediciones de voltajes, debase (Vb), de colector (Vc) y de emisor (Ve).
4. Calcular Vbe=Vb-Ve, Vce=Vc-Ve, Vcb=Vc-Vb.
5. Calcular las corrientes de emisor y base usando la ley de Ohm y los valores reales de las resistencias de polarización.
6. Calcular la corriente de colector mediante las corrientes de base y emisor.
7. Calcular el valor de beta (β).
8. Dibujar la gráfica Ib vs Vbe.
9. Dibujar la gráfica Ic vsVce.
Las Ecuaciones Necesarias Para el Cálculo de las corrientes y son las siguientes:
IB=VBB-VBRB IE=VERE IC=IE-IB β=ICIB

VBB | Vb | Ve | Vbe | Vce | Vcb | Ie | Ib | Ic | β |
0 | 5.220E-03 | 2.00E-05 | -0.0049 | 5.024 | 5.02 | 2.030E-07 | -5.24E-07 | 7.269E-07 | -1.39 |
0.1 | 8.920E-02 | 1.00E-06 | 0.07845 | 5.024 | 4.9 | 1.015E-08 |...