Puertas logicas

LÓGICA CTL (COMPLEMENTARY TRANSISTOR LOGIC)
Significa Lógica de complementación de transistor y sus características son las siguientes.
Retraso de propagación por compuerta | Consumo promedio porcompuerta |
5 nano-segundos | 50 nano-Watts |
LÓGICA I 2 L ( INTEGRATED INJECTION LOGIC)
Significa lógica de inyección integrada y la principal ventaja de este tipo de integrados es que permite unaalta densidad de integración, similar a la de los dispositivos MOS, y también un bajo consumo de potencia.
Retraso de propagación por compuerta | Consumo promedio por compuerta |
40 nano-segundos |Menor que 1 mili-Watt |
LÓGICA MOS (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR)
Significa lógica de oxido de semiconductor metálico, se caracteriza porque emplean transistores de efecto de campo que tienen lasventajas de mayor facilidad de fabricación, tamaño mas pequeño (1/50 de transistores bipolares)y muy baja disipación de potencia. Las desventajas son baja velocidad de respuesta, mayor delicadeza en elmanejo y poca capacidad de manejo de corriente.
LÓGICA PMOS (P CHANNEL METAL OXIDE SEMICONDUCTOR)
La característica de esta familia es que requieren solo la tercera parte de pasos necesarios de producciónde su contraparte con transistores bipolares estándar de doble difusión.
LÓGICA NMOS (N CHANNEL MOS)
Permiten el doble de densidad de integración que los P-MOS, además de ser casi dos veces masrápidos debido a que en NMOS los portadores de carga son los electrones libres (mientras que en PMOS los portadores de carga son los huecos que son mas lentos).
Retraso de propagación por compuerta |Consumo promedio por compuerta |
40 nano-segundos | Menor que 1 mili-Watt |
LÓGICA HMOS (HIG DENSITY MOS)
Tienen la característica de que permiten una alta capacidad de integración.
LÓGICA SOSMOS(SILICON ON SAPHIRE MOS)
Está lógica se caracteriza por emplear un sustrato de aislante en lugar del sustrato semiconductor tradicional con lo que logran frecuencias mayores de 50 Mega Hertz con un...