Punto de operacionalización del diodo

PUNTO DE OPERACIONALIZACIÓN DEL DIODO

Abstract
Se establece que los diodos semiconductores ideales poseen características perfectas para ser aplicadas en la realidad pero al no existir este tipode materiales se utiliza otros elementos con los que se obtienen resultados similares a los esperados. El silicio y el germanio son cristales que por su particularidad de ser conductor y aislante soncomercializados, al ser polarizados directamente estos se comportan como una fuente la cual empieza a operar a partir de los 0.7 V en el silicio y 0.3 V en el germanio, desde estos puntos lacorriente empieza aumentar rápidamente hacia el eje positivo de la corriente. A diferencia de esto, en la polarización inversa se obtiene que la curva desciende siguiendo por el cuadrante negativo en unalínea casi recta hacia los valores del voltaje negativo obteniendo una corriente muy pequeña que puede estar en miliamperios o nanoamperios, existe un límite de voltaje en esta zona en el cual al seraplicada una diferencia de potencial excesiva se forma una zona llamada región zener donde las características del diodo cambian drásticamente, en este punto la corriente aumenta de manera excesiva en ladirección negativa.

Desarrollo
Si las características reales de cada dispositivo fueran perfectamente ideales, la aplicación de cada uno en la práctica simplificaría en gran medida. Sin embargocomo se muestra en la figura 1 las características reales del dispositivo no son ideales, aunque también es obvio que con excepción de los elevados voltajes negativos, la semejanza con la gráfica de undiodo ideal (Figura 2) es excelente. El cambio de escala que se muestra en la figura 3 permite analizar más a fondo las características reales en la región de polarización directa.

Comparaciónentre el silicio y el germanio
Por lo general, los diodos de silicio cuentan con un PIV y un índice de corrientes mayores, así como un rango de temperatura más amplio que los diodos de germanio. Los...