Reporte de potencia

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INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE COATZACOALCOS
“REPORTE DE PRACTICA ujt”

CARRERA:
INGENIERIA ELECTRONICA
MATERIA:
ELECTRONICA DE POTENCIA
UNIDAD 1:
“REPORTE DE PRACTICA UJT”
NOMBRE DE LOS ALUMNOS:
HERNANDEZ GARCIA DARIO ISRAEL
REMIREZ FRANCISCO OMAR IVAN
BUSTAMANTE JACOME JESUS MIGUEL
NOMBRE DEL CATEDRATICO:
ING. LEONEL SOTELO
LUGAR Y FECHA:
COATZACOALCOS, VER, A 21 DESEPTIEMBRE DEL 2010
INTRODUCCION
Transistor uniunión
El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras.
Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto alo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor vp de ruptura, el ujt presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, estaregión se llama región de resistencia negativa, este es un proceso reiterativo, por lo que esta region no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.
El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo dedisparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN
Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.
En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando  así una unión PN. Ver elsiguiente gráfico
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1
Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.
Nota:
- Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.
- Es importante hacer notar que también se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJTpero con las polaridades de las tensiones al revés.
Oscilador de relajación con el UJT
Un oscilador es un dipositivo capaz de generar señales de corriente alterna partindo de corriente continua.Está constituido básicamente por uno o más elememtos activos,como pueden ser transistores,red pasiva resistencia-condensador,bobina.condensador,etc.
Estos elementos fijan la frecuencia de lasoscilaciones y la forma de la onda de la señal generada.
El principio de funcionamiento de los osciladores se puede dividir en dos grandes bloques que da lugar a multitud de variantes y de denominaciones:
-.Los que fundamentan su comportamiento en un amplificador reghenerativo,en el cual una parte de la señal que entraga en su salida se realimenta en fase sobre el elemento activo.Con este principio sepuede conseguir la mayoria de formas de ondas básicas y,con cierta dificultad,impulsos de corta duración.
-.Los que el dispositivo activo del ciruito presenta una zona de resistencia negativa en su característica,no precisando en este caso realimentación parta producir las oscilaciones bastando simplemente la acción de la red pasiva (por ejemplo,resistencia-condensador) para llevar al dispositivo...
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