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Dispositivos Semiconductores en Electrónica de Potencia |
Trabajo escrito Nº1
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Ramos Ternera Ángel patricio, |
27/08/2011 |

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Pág.

I. Introducción………………………………………………..….. 3
II. Diodos de recuperación rápiday diodos
de carburo de silicio……………………………………………4
III. Tiristores: SCR, TRIAC, DIAC, GTO, MCT…………………..
IV. Drivers para disparo de tiristores: acople directo, transistor
MonojunturaUJT……………………………………………….
V. Drivers aislados para disparo de tiristores: transformadores
De pulso, ópticos (opto-triacs)………………………………....
VI. Drivers Integrados para control de tiristores…………………
VII.Transistores de conmutación: BJT, MOSFET, IBGT………….
VIII. Drivers para disparo de transistores BJT, MOSFET, IGBT: acople directo……………………………………………………….
IX. Drivers para disparo detransistores BJT, MOSFET, IGBT: transformadores de pulso, Ópticos……………………………
X. Drivers para disparo de transistores BJT, MOSFET, IGBT:
drivers integrados………………………………………………
XI. Snubbers y Diseño deSnubbers……………………………….
XII. Bibliografía………………………………………………………..

Introducción

Para tener claros los conceptos bases de la electrónica de potencia es necesario que conozcamos muy bien losmateriales con los cuales nos relacionamos para evidenciar los comportamientos de cada una de las temáticas desarrolladas en clases; así mismo conocer cual son sus fortalezas y debilidades de cada uno deestos dispositivos para identificar en la practica claramente cual debemos utilizar.
Es por eso que realizamos una investigación analítica de dispositivos semiconductores para esta área...
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