Resistencia LDR
Páginas: 8 (1810 palabras)
Publicado: 21 de marzo de 2014
RESISTENCIA LDR
Marco Antonio Blanco serrano
José Ángel Garizabalo Reyes
Qohat Pretel Polo
Cristian Vitola
Docente
Ing. Antonio Correa Collante
Universidad del Magdalena
Programa de Ingeniería Electrónica
Circuitos DC – Grupo 2
Santa Marta – Magdalena
RESISTENCIA LDR
RESUMEN
Con la realización de esta experiencia se pretendeobtener conocimiento acerca del funcionamiento y aplicación de la foto resistencia. La foto resistencia es el resistor que varía su coeficiente resistivo en función de la intensidad de la luz. En ésta práctica, la cual se realizó por primera vez, se comprobó el resultado mediante la experimentación en el laboratorio de electrónica análoga y digital, tomando tres mediciones de cada punto en losexperimentos. Su funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por las elasticidades del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta,y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz brillante
PALABRAS CLAVES: aplicación, simulación, mediciones, cálculos, experimentación, resistencia, tensión, corriente, luminosidad.
ABSTRACT
With the completion of this experience is to gain knowledge about theoperation and implementation of a photo resistor. The photo resistor resistance is the resistivecoefficient which varies depending on the intensity of light. In this practice, which was held for the first time the result was verified by laboratory experimentation of analog and digital electronics, taking three measurements of each point in the experiments. Its operation is based on the photoelectriceffect. A photoresistor is made of a high resistance semiconductor such as cadmium sulfide, CdS. If the light that hits the high frequency device, photons are absorbed by the elasticity of the semiconductor giving electrons enough energy to jump the conduction band. The resulting free electron, and itsassociated hole, conduct electricity, thereby decreasing the resistance. Typical values rangefrom 1 MW or more in the dark and bright light 100 Ω
KEYWORDS: application, simulation, measurement, calculation, experimentation, resistance, voltage, current, brightness.
KEY WORDS: implementation, simulation, measurement, calculation, experimentation, resistance, voltage, current, luminosity.
INTRODUCCIÓN
Una fotorresistencia es un componente electrónico, el cual a medida que suintensidad lumínica que incide aumenta, esta resistencia disminuye, es decir, la resistencia y la intensidad lumínica son inversamente proporcional, entre si. Puede también ser llamado foto resistor, fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz.
La variación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro.Esto limita a no usar los LDR en aplicaciones en las que la señal luminosa varía con rapidez. El tiempo de respuesta típico de un LDR está en el orden de una décima de segundo. Esta lentitud da ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rápidas de iluminación que podrían hacer inestable un censor.
En el siguiente informe, se podrá observar el comportamiento que tiene la(LDR), a medida que se dé una incidencia de intensidad de luz. A su vez comprender como esta funciona y momentos donde se puedan aplicar.
MARCO TEORICO
Resistencia LDR
La resistencia LDR (Light Dependent Resistors) o fotorresistencia, es un componente electrónico cuya resistencia varía según la intensidad de luz que incide sobre él. A medida que la intensidad luminosa incide sobre ella, el...
RESISTENCIA LDR
Marco Antonio Blanco serrano
José Ángel Garizabalo Reyes
Qohat Pretel Polo
Cristian Vitola
Docente
Ing. Antonio Correa Collante
Universidad del Magdalena
Programa de Ingeniería Electrónica
Circuitos DC – Grupo 2
Santa Marta – Magdalena
RESISTENCIA LDR
RESUMEN
Con la realización de esta experiencia se pretendeobtener conocimiento acerca del funcionamiento y aplicación de la foto resistencia. La foto resistencia es el resistor que varía su coeficiente resistivo en función de la intensidad de la luz. En ésta práctica, la cual se realizó por primera vez, se comprobó el resultado mediante la experimentación en el laboratorio de electrónica análoga y digital, tomando tres mediciones de cada punto en losexperimentos. Su funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por las elasticidades del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta,y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz brillante
PALABRAS CLAVES: aplicación, simulación, mediciones, cálculos, experimentación, resistencia, tensión, corriente, luminosidad.
ABSTRACT
With the completion of this experience is to gain knowledge about theoperation and implementation of a photo resistor. The photo resistor resistance is the resistivecoefficient which varies depending on the intensity of light. In this practice, which was held for the first time the result was verified by laboratory experimentation of analog and digital electronics, taking three measurements of each point in the experiments. Its operation is based on the photoelectriceffect. A photoresistor is made of a high resistance semiconductor such as cadmium sulfide, CdS. If the light that hits the high frequency device, photons are absorbed by the elasticity of the semiconductor giving electrons enough energy to jump the conduction band. The resulting free electron, and itsassociated hole, conduct electricity, thereby decreasing the resistance. Typical values rangefrom 1 MW or more in the dark and bright light 100 Ω
KEYWORDS: application, simulation, measurement, calculation, experimentation, resistance, voltage, current, brightness.
KEY WORDS: implementation, simulation, measurement, calculation, experimentation, resistance, voltage, current, luminosity.
INTRODUCCIÓN
Una fotorresistencia es un componente electrónico, el cual a medida que suintensidad lumínica que incide aumenta, esta resistencia disminuye, es decir, la resistencia y la intensidad lumínica son inversamente proporcional, entre si. Puede también ser llamado foto resistor, fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz.
La variación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro.Esto limita a no usar los LDR en aplicaciones en las que la señal luminosa varía con rapidez. El tiempo de respuesta típico de un LDR está en el orden de una décima de segundo. Esta lentitud da ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rápidas de iluminación que podrían hacer inestable un censor.
En el siguiente informe, se podrá observar el comportamiento que tiene la(LDR), a medida que se dé una incidencia de intensidad de luz. A su vez comprender como esta funciona y momentos donde se puedan aplicar.
MARCO TEORICO
Resistencia LDR
La resistencia LDR (Light Dependent Resistors) o fotorresistencia, es un componente electrónico cuya resistencia varía según la intensidad de luz que incide sobre él. A medida que la intensidad luminosa incide sobre ella, el...
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