Practica LDR

Instituto Tecnológico de Morelia
Carrera: Ingeniería en Sistemas Computacionales
Materia: Interfaces
Profesor: Ing. Alonso Hernández Núñez

Practica No. 2
Título: Fotoresistencia
Objetivo:Caracterizar una fotoresistencia obteniendo su curva de respuesta para distintas intensidades luminosas.
Introducción Teórica:
La fotoresistencia o LDR (Light-Dependent-Resistor) es un componentefotosensible a la luz. A diferencia de la resistencia fija donde el valor óhmico no varía, la fotoresistencia tiene la particularidad de variar su valor óhmico en función de la luz que incide sobreella, cuanto más luz recibe más bajo es su valor óhmico y cuanto menos luz recibe más alto es su valor óhmico.
Una fotoresistencia está hecha de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz queincide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar de la banda de valencia a la bandade conducción, aumentando así la conductividad del dispositivo y disminuyendo su resistencia.
Símbolo:







Principio de Funcionamiento:
La resistencia de este tipo de componentes varía enfunción de la luz que recibe en su superficie. Así, cuando están en oscuridad su resistencia es alta y cuando reciben luz su resistencia disminuye considerablemente.
Cuando incide la luz en elmaterial fotoconductor se generan pares electrón - hueco. Al haber un mayor número de portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor deresistencia bajo. Las células son también capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). Los materiales que intervienen en suconstrucción son Sulfuro de Cadmio, utilizado como elemento sensible a las radiaciones visibles y sulfuro de plomo se emplean en las LDR que trabajan en el margen de las radiaciones infrarrojas. Estos...