resumen principios de electronica de malvino
Páginas: 20 (4982 palabras)
Publicado: 17 de octubre de 2013
Centro de Desarrollo Tecnologico
Mario J. Montemayor
Clave 86800
Trabajo Final 3ª oportunidad
Cd. Guadalupe N.L. a 22 de marzo de 2013
Resumen Principios de Electrónica (VI) edición
Semiconductores
Los mejores conductores (plata cobre y oro) tienen un electrón de valencia mientras que los mejores aislantes poseen ocho electrones de valencia. Unsemiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de un conductor y un aislante. Como cabria esperar los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.
Germanio
El germanio es un ejemplo de semiconductor. Tiene cuatro electrones en su orbita de valencia. Hace unos años el germanio era el único material adecuado para la fabricación de dispositivos de semiconductores.Silicio
Despues del oxigeno el silicio es el elemento mas abundante de la tierra .sin embargo existieron algunos problemas que impidieron su uso en los primeros días de los semiconductores. Una vez resueltos las ventajas del silicio (discutidas posteriormente) lo convirtieron inmediatamente en el semiconductor a elegir. Sin el la electrónica moderna, las comunicaciones y los ordenadores serianimposibles.
Semiconductores intrinsecos
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrinseco si cada atomo del cristal es un atomo de silicio. A temperatura ambiente un cristal de silicio se comporta mas o menos como un aislante, ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos correspondientes producidos por la energiatermica quq posee dicho cristal.
Dopaje de un semiconductor
Una forma de aumentar la conductividad de un seminconductor es mediante el dopaje. El dopaje supone que, deliberadamente, se aladen atomos de impurezas a un cristal intrinseco para modificar su conductividad electrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrinseco.
Dos tipos de semiconductores extrinsecos
Un semiconductorse puede dopar para que tenga un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. Debido a ello existen dos tipos de semiconductores dopados.
Semiconductor tipo “n”
El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama conductor semiconductor tipo “n” Donde “n” hace referencia a negativo.
Semiconductor tipo “p”
El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes sellama semiconductor tipo “p” donde “p” hace referencia a positivo.
El diodo no polarizado
Por si mismo un cristal semiconductor tipo n tiene la misma utilidad que una resistencia de carbon lo que tambien se puede decir de un semiconductor tipo p. pero ocurre algo nuevo cuando un fabricante dopa un cristal de tal manera que la mitad sea tipo p y la otra mitad sea tipo n. la separacion ofrontera fisica entre un semiconductor tipo n y uno tipo p se llama union pn. La union pn tiene propiedades tan utiles que ha propiciado toda clase de inventos entre los que se encuentran los diodos, los transistores y los circuitos integrados. Comprender la union pn permiten tener toda clase de dispositivos fabricados con semiconductores
Zona de deplexion
Debido a su repulsión mutua, loselectrones libres en el lado n de la figura tienden a dispersarse en cualquier direccion. Algunos electrones libres se difunden atravesando la union. Cuando un electron libre entra en la region p se convierte en un portador minoritario. Con tantos huecos a su alrededor este electron tiene un tiempo de vida muy corto. Poco después de entrar en la region p el electron libre cae en un hueco. Cuando estosucede el hueco desaparece y el electron libre se convierte en un electron de valencia. Cada ocasión en la que un electron se difunde atraves de la union crea un par de iones. Cuando un electron abandona el lado n deja un atomo pentavalente al que le hace falta una carga negativa; este atomo se convierte en un ion positivo. Una vez que el electron cae en el hueco p el atomo trivalente que lo ha...
Centro de Desarrollo Tecnologico
Mario J. Montemayor
Clave 86800
Trabajo Final 3ª oportunidad
Cd. Guadalupe N.L. a 22 de marzo de 2013
Resumen Principios de Electrónica (VI) edición
Semiconductores
Los mejores conductores (plata cobre y oro) tienen un electrón de valencia mientras que los mejores aislantes poseen ocho electrones de valencia. Unsemiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de un conductor y un aislante. Como cabria esperar los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.
Germanio
El germanio es un ejemplo de semiconductor. Tiene cuatro electrones en su orbita de valencia. Hace unos años el germanio era el único material adecuado para la fabricación de dispositivos de semiconductores.Silicio
Despues del oxigeno el silicio es el elemento mas abundante de la tierra .sin embargo existieron algunos problemas que impidieron su uso en los primeros días de los semiconductores. Una vez resueltos las ventajas del silicio (discutidas posteriormente) lo convirtieron inmediatamente en el semiconductor a elegir. Sin el la electrónica moderna, las comunicaciones y los ordenadores serianimposibles.
Semiconductores intrinsecos
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrinseco si cada atomo del cristal es un atomo de silicio. A temperatura ambiente un cristal de silicio se comporta mas o menos como un aislante, ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos correspondientes producidos por la energiatermica quq posee dicho cristal.
Dopaje de un semiconductor
Una forma de aumentar la conductividad de un seminconductor es mediante el dopaje. El dopaje supone que, deliberadamente, se aladen atomos de impurezas a un cristal intrinseco para modificar su conductividad electrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrinseco.
Dos tipos de semiconductores extrinsecos
Un semiconductorse puede dopar para que tenga un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. Debido a ello existen dos tipos de semiconductores dopados.
Semiconductor tipo “n”
El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama conductor semiconductor tipo “n” Donde “n” hace referencia a negativo.
Semiconductor tipo “p”
El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes sellama semiconductor tipo “p” donde “p” hace referencia a positivo.
El diodo no polarizado
Por si mismo un cristal semiconductor tipo n tiene la misma utilidad que una resistencia de carbon lo que tambien se puede decir de un semiconductor tipo p. pero ocurre algo nuevo cuando un fabricante dopa un cristal de tal manera que la mitad sea tipo p y la otra mitad sea tipo n. la separacion ofrontera fisica entre un semiconductor tipo n y uno tipo p se llama union pn. La union pn tiene propiedades tan utiles que ha propiciado toda clase de inventos entre los que se encuentran los diodos, los transistores y los circuitos integrados. Comprender la union pn permiten tener toda clase de dispositivos fabricados con semiconductores
Zona de deplexion
Debido a su repulsión mutua, loselectrones libres en el lado n de la figura tienden a dispersarse en cualquier direccion. Algunos electrones libres se difunden atravesando la union. Cuando un electron libre entra en la region p se convierte en un portador minoritario. Con tantos huecos a su alrededor este electron tiene un tiempo de vida muy corto. Poco después de entrar en la region p el electron libre cae en un hueco. Cuando estosucede el hueco desaparece y el electron libre se convierte en un electron de valencia. Cada ocasión en la que un electron se difunde atraves de la union crea un par de iones. Cuando un electron abandona el lado n deja un atomo pentavalente al que le hace falta una carga negativa; este atomo se convierte en un ion positivo. Una vez que el electron cae en el hueco p el atomo trivalente que lo ha...
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