Taller

1. Un JFET
a) Es un dispositivo controlado por tensión
b) Es un dispositivo controlado por corriente
c) Tiene una resistencia de entrada pequeñita
d) Tiene una ganancia de tensión muy grande
2.Un transistor unipolar utiliza
a) Tanto electrones libres como huecos
b) Solo electrones libres
c) Solo huecos
d) Unos u otros pero no ambos
3. La impedancia de entrada de un JFET
a) Tiende acero
b) Tiende a uno
c) Tiende a infinito
d) Es imposible de predecir
4. La puerta controla
a) El ancho del canal
b) La corriente de drenador
c) La tensión de puerta
d) Todos los anteriores
5.El diodo puerta-fuente de un JFET deben a estar
a) Polarizado en directa
b) Polarizado en inversa
c) Polarizado tanto en directa corno en inversa
d) Ninguna de las anteriores
6. Comparando a untransistor bipolar el JFET tiene mucha más
a) Ganancia de tensión
b) Resistencia de entrada
c) Tensi6n de alirnentaci6n
d) Comente
7. La tensión de estrangulamiento tiene la misma magnitud que laa) Tensión de puerta
b) Tensi6n drenador-fuente
c) Tensión puerta-fuente
d) Tensión de corte puerta-fuente
8. Cuando la comente de saturaci6n de drenador es
menor que IDss un JFET actúacorno un
a) Transistor bipolar.
b) Fuente de comente
c) Resistencia
d) bateria
9. R, es igual a la tensión de estrangulamiento dividida
Entre la
a) Comente de drenador
b) Comente de puerta
c)Comente de drenador ideal
d) Comente de drenador para una tensión de
Puerta nula
10. La curva de transferencia es
a) Lineal
b) Similar a la gráfica de una resistencia
c) No lineal
d) Como una solacurva de drenador
11. La transconductancia se incrementa cuando la
Corriente de drenador se aproxima a
a) 0
b) I Dsat

C) IDss
d) Is

12. Un amplificador en fuente corriente tiene unaganancia de tensión igual a
a) gmrd
b) gmr,

c) gmd(1 + gmr,)
dl gmrdl(1 + gmrd)

13. Un seguidor de fuente tiene una g anancia de tensión igual a
a) gmrd
b) gms

c) gmrs(1 + gmrs)
d) gmrd(l +...