Tarea 1 Elec






Universidad tecnológica de Honduras
Asignatura: Electronica Analoga I
Tema: Tarea1 I Parcial
Catedrático: Ing. Hector Will
Alumno: Christian David Will

Numero deCuenta: 201060530018



1.












El cobre es un buen conductor debido a los electrones libres que contiene; estos mismos son los que se encargan de transportar lacorriente. El cobre solo tiene un electrón de valencia, el germanio y el silicio tiene 4.

2. Material intrínseco: significa que el material es puro, sin ningún tipo deimpureza.
Coeficiente de temperatura negativo: Es cuando la resistencia disminuye cuando la temperatura aumenta.
Enlace covlaente: Cuando dos atomos se unen.

3. Materiales concoeficiente de temperatura negativo:
a. Silicio
b. Germanio
c. Estaño

Materiales con coeficiente de temperatura negativo:
d. Plata
e. Ceramica
f. Carbon
4. 18 Joules
5.4 C

6. GaP: 2.26. Fosfuro de galio

ZnS: 3.6. Sulfuro de Cinc

7. El propósito del tipo n es crear una abundancia de electrones portadores en el material. El tipo p escrear una abundancia de huecos.
8. Las impurezas de los donadores se reparten entre 5 electrones de valencia y los de los aceptores entre 3.
9. Los electrones son losportadores mayoritarios y los huecos los minoritarios
10.












13. En una polarización en directa el diodo se cierra dejando que la corriente fluya a través del diodo, eninversa el diodo se abre no dejando pasar corriente.
14. En la unión la p representaría el positivo y la n el negativo. En inversa se invierta la polaridad.
15. 1.5 nA16. 3 mA

48.
49. 39.9 Co
50. 0.0138%
51. Para el diodo de 20v, un coeficiente de entre +0.04 y +0.08.
Para el diodo de 5v, un coeficiente de entre -0.04 y 0.