Tema_3 Amplificacion Con Transistores_presentacion 2

Fundamentos de Electrónica Analógica y de Potencia

Tema III. Amplificación con transistores
Profesora: Concepción Téllez Labao
tellez@uma.es

Dpto. Tecnología Electrónica - UNIVERSIDAD DE MALAGA
Tema III. Amplificación con transistores (Gráficos y Circuitos)

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Contenidos
1. Modelado en continua del diodo
2. Análisis en continua de transistores bipolares
de unión (BJT)
3. Análisis en continuade transistores FET
4. Modelos de pequeña señal de diodos y
transistores
5. Etapas básicas de ganancia
6. Amplificadores multietapa
7. El amplificador diferencial
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Modelado en continua del diodo
Diodo de unión p-n: Dispositivo semiconductor de dos terminales
(ánodo y cátodo)
Símbolo del diodo

Ecuación de Shockley: La relaciónentre la corriente que circula por
el diodo (iD) y la tensión entre ánodo y cátodo (vD) es exponencial
exp

1

• IS : Corriente inversa de saturación o corriente
de escala. Del orden de 10-12 A
• n: Coeficiente de emisión del diodo. Depende
del proceso de fabricación. 1
2
• VT: Tensión térmica. A Tª ambiente (≈25mV)
• K: Constante de Boltzmann K=1.38·10-23 J/ºK
• T: Temperatura en ºK
• q: Carga delelectrón q=1.6·10-19 C

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Modelado en continua del diodo
Curva característica del diodo iD-vD
exp

1

• VDon: Tensión umbral o tensión de conducción
del diodo. Valores típicos: 0.6-0.7 V.
• IS: Corriente inversa de saturación. Del orden
de 10-12 A.
• VR: Tensión inversa de ruptura (próxima a 6V)
• Imax: Corriente máxima en zona deruptura.
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Modelado en continua del diodo
Zonas de trabajo
Directa

)

En esta zona iD experimenta un crecimiento rápido de tipo exponencial,
mientras que vD presenta un margen de variación muy pequeño (entre 0.6
y 0.8 V)
D≅ S

Inversa

)

En esta zona el diodo no conduce D ≅ − S ≅ 0 .
En zona inversa el diodo puede ser sustituidopor un circuito abierto

Ruptura



La curva en esta zona es casi vertical, pudiendo llegar a alcanzar la
corriente inversa valores muy elevados. Para evitar la destrucción del
diodo, será necesario mantener iD por debajo de un valor máximo Imax
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Modelado en continua del diodo
Modelos del diodo en continua
Los modelos del diodo sederivan al aproximar la curva característica exponencial por
un segmento lineal en cada una de las zonas de trabajo

Modelo de batería más resistencia
D
D

Don

,

D

D

Don



Circuito en directa

D

• VDon: Punto de corte de la recta con el eje X
• rd: Inverso de la pendiente de la recta en zona directa

0,

D

Don



Circuito abierto en inversa

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Modelado en continua del diodo
Modelos del diodo en continua
Modelo de caída de voltaje constante
Asume
≅

≅ 0. Es decir, asume que en directa la tensión en el diodo es constante

Circuito en directa

Circuito abierto en inversa
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Modelado en continua del diodo
Modelos del diodo en continua
Modeloideal
Asume V

≅ 0 y

≅ 0. Es decir, asume que en directa el diodo es un cortocircuito

Circuito en directa
+

+

D3

Vd

Circuito en inversa

Vd=0

-

+

D4

Vd

-

DIRECTA

Id=0

-

INVERSA

Conclusión: La corriente sólo puede circular en un sentido, del ánodo al cátodo
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Contenidos
1. Modelado en continua del diodo
2. Análisis encontinua de transistores
bipolares de unión (BJT)
3. Análisis en continua de transistores FET
4. Modelos de pequeña señal de diodos y
transistores
5. Etapas básicas de ganancia
6. Amplificadores multietapa
7. El amplificador diferencial
Tema III. Amplificación con transistores (Gráficos y Circuitos)

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Análisis en continua de transistores bipolares de unión (BJT)
Transistor de unión bipolar:...