Thyristors

1. Parámetros máximos
 VDRM(Repetitive peak off-state voltage (50-60 Hz)
Es el máximo pico de voltaje permitido a través del dispositivo. Este parámetro es
especificado por la temperaturamáxima de junción y las corrientes de fuga.
 IT(RMS) (On-state rms current
Es la máxima corriente rms permitida en el dispositivo para un caso específico de
temperatura (Tc), o temperatura ambiente (Ta), o temperatura de conducción(Ti),
Dependiendo el tipo de empaquetado.
 PG(AV) ( Average gate power dissipation)
Esta es la máxima potencia promedio que puede ser disipada por la juntura de gate,Si el rango es excedido, el componente podría dañarse.
 ITSM(Non repetitive serge peak on-state current
Este es el máximo pico de corriente permitido en el dispositivo bajo condiciones depulsación. Para los Triacs, esta definida por un solo ciclo de la onda sinodal de 20ms
correspondiente a una red eléctrica de 50 Hz y de 16.6ms a una red eléctrica de 60 Hz. Si el
rango máximo esexcedido, el componente se puede dañar.
 TSTG ( Storage and operating juntion temperatures)
El rango de temperatura de almacenamiento es el rango en el que el dispocitivo
puede almacenado( embarque,manejo, almacenamiento...), sin trabajar.
2. Parámetros de encendido
 VTM (Peak on-state voltage drop)
Es el voltaje a través del dispositivo mientras esta en estado de conducción. Esta
especificadocon el correspondiente pico de corriente IT(RMS) del dispositivo.
 VGT( Triggering gate voltage)
Es el voltaje que se debe aplicar a través de la puerta y el cátodo( o gate y electrodo
A1 en elcaso del TRIAC) para alcanzar la corriente IGT y después activar el dispositivo.
 IGT(Triggering gate current)
Es la corriente para aplicar entre la puerta y el cátodo( o puerta y electrodo A1 en elcaso del TRIAC) para encender el dispositivo. Este parámetro define la sensibilidad del
componente.
Para un SCR, la corriente de puerta siempre tiene que ser disminuida por la puerta.
Para un...