tipos de clasificacion del silicio

Tipos de clasificación del silicio
Bioelementos secundarios variables
Bioelementos traza. Están presentes en una proporción comprendida entre el 0,1% y el 0,0001% del peso de un ser vivo. Entre otros se incluye silicio (Si),
Proporción de los bioelementos
La proporción de los diversos bioelementos es muy diferente a la que hallamos en la atmósfera, la hidrosfera o la corteza terrestre; ellosindica que la vida ha seleccionado aquellos elementos que le son más adecuados para formar sus estructuras y realizar sus funciones. 
Muestra la proporción del silicio en el cuerpo humano comparada con la que tienen en el resto de la Tierra:
Elemento
Litósfera-Atmósfera-Hidrósfera (%)
Cuerpo humano
Silicio (Si)
28,80
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El silicio es el único elemento que tienen aplicacionesprácticas como semiconductores. Sin  embargo, gran variedad de compuestos cerámicos e intermetálicos presentan este mismo efecto.
Para facilitar su estudio, los derivados del silicio se clasifica en semiconductores intrínsecos y extrínsecos.
Los semiconductores intrínsecos se caracterizan por que su brecha de energía Eg entre las bandas de valencia y conducción es pequeña, y en consecuencia,algunos electrones poseen suficiente energía térmica como para saltar la brecha, entrando en la banda de conducción. Los electrones excitados dejan atrás niveles de energía desocupados, o huecos, en la banda de valencia. Cuando un electrón se mueve para llenar un hueco, se crea otro en la fuente original de este segundo electrón, de forma que los espacios vacío  parecen actuar como "electrones" de cargapositiva y portadores de carga eléctrica.. Cuando se aplica un voltaje eléctrico al material, los electrones de la banda de conducción se aceleran hacia la terminal positiva., en tanto que los huecos de la banda de valencia se mueven hacia a terminal negativa., Por lo tanto se conduce la corriente mediante el movimiento de electrones y de huecos.
La conductividad  queda determinada por el númerode pares electrón hueco.
s = neqm e + nhqm h
Donde ne es el número de electrones en la banda de conducción, nh es el número de huecos en la banda de valencia y m e y  m h son las movilidades de electrones y de huecos. En el caso de los conductores intrínsecos:
n = ne = nh
Por tanto, la conductividad es:
s = neq(m e + m h )
Al controlar la temperatura, se controla el número de portadores decarga por lo mismo, la conductividad eléctrica. En el cero absoluto, todos los electrones están en la  banda de valencia, así que todos los niveles de la banda de conducción se hallan desocupados.
Conforme aumenta la temperatura, hay mayores probabilidades de que se ocupe un nivel de energía en la banda de conducción, de forma que existen idénticas probabilidades de que se desocupe un nivel en labanda de valencia. El número de electrones en la banda de conducción, que es igual al número de huecos en la banda de valencia, está dado por:
n = ne = nh = no exp  - (Eg/2kT)                                                                                  
Donde no se puede considerar como constante, aunque de hecho también depende de la temperatura. Temperaturas más elevadas permiten que máselectrones crucen la zona prohibida y, por tanto se incrementa la conductividad:
s = neq(m e + m h ) exp  - (Eg/2kT)  
El comportamiento del semiconductor es opuesto al de los metales, ya que conforme aumenta la temperatura se incrementa la conductividad, porque están presentes más portadores de carga., en tanto que en el metal la conductividad se reduce, debido a la menor movilidad de susportadores de carga.
Si se retira la fuente de energía o voltaje de excitación, se vuelven a combinar los huecos y los electrones después de cierto periodo de tiempo. El número de electrones en la banda de conducción se reduce con una rapidez dada por:
n = no exp - (t/t)
Donde t es el tiempo después de haber eliminado el campo, no es una constante y t es una constante conocida como tiempo de...