tipos de memoria
Páginas: 2 (300 palabras)
Publicado: 21 de marzo de 2013
tipos de memorias flash
Memoria flash de tipo NOR
En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico quegeneraría CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltajeen CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo así el datoalmacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el número de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.Memorias flash
La memoria flash consiste en una pequeña tarjeta destinada a almacenar grandes cantidades de información en un espacio muy reducido. Usualmente es posible encontrarlas guardando lasfotos de una cámara digital, los programas de calles y rutas de un GPS, la agenda de contactos de un teléfono celular o los archivos, correos y direcciones de una agenda PDA.
Este tipo de tarjetasson denominadas no volátiles, ya que conservan los datos aún cuando no se encuentran conectadas a la corriente eléctrica. Los primeros dispositivos de este tipo fueron fabricados en 1971 y erandenominadas EPROM por el inglés Erasable Programmable Read-Only Memory. Estos aparatos también eran capaces de almacenar los datos al cortar el flujo eléctrico, sin embargo, para volver a grabarinformación era necesario borrar a través de rayos ultravioleta.
INSTITUTO POLITECNICO
NACIONAL
CECYT 10
“CARLOS VALLEJO MARQUEZ”
INTEGRANTES:
Carrillo Mendoza Karla
García campuzano edgar
Gonzales Gonzales Ari Jacob
Rodriguez Mendoza Mario
Soto Viveros Brandon
Tapia Caldera Amado
Tapia Limarte Ariatne
MEMORIAS
FLASH Y
CACHE
Memoria flash de tipo NOR
En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico quegeneraría CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltajeen CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo así el datoalmacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el número de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.Memorias flash
La memoria flash consiste en una pequeña tarjeta destinada a almacenar grandes cantidades de información en un espacio muy reducido. Usualmente es posible encontrarlas guardando lasfotos de una cámara digital, los programas de calles y rutas de un GPS, la agenda de contactos de un teléfono celular o los archivos, correos y direcciones de una agenda PDA.
Este tipo de tarjetasson denominadas no volátiles, ya que conservan los datos aún cuando no se encuentran conectadas a la corriente eléctrica. Los primeros dispositivos de este tipo fueron fabricados en 1971 y erandenominadas EPROM por el inglés Erasable Programmable Read-Only Memory. Estos aparatos también eran capaces de almacenar los datos al cortar el flujo eléctrico, sin embargo, para volver a grabarinformación era necesario borrar a través de rayos ultravioleta.
INSTITUTO POLITECNICO
NACIONAL
CECYT 10
“CARLOS VALLEJO MARQUEZ”
INTEGRANTES:
Carrillo Mendoza Karla
García campuzano edgar
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Tapia Caldera Amado
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MEMORIAS
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CACHE
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