TRABAJO MONOGRAFICO By Castromonte Natividad Abelardo Loli



UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
CURSO:
FÍSICA ELECTRÓNICA
TEMA:
EL TRANSISTOR

ALUMNO:
CASTROMONTE NATIVIDAD, Abelardo Loli


TUTOR:
Carmona Espinoza Jorge



HUARAZ – PERÚ
2015



DEDICATORIA


Este trabajo, lo dedico en gran parte a Dios, ya que él ha sido mi guía y protección durante todo el período de mi carrera.
A mis padres: Odion y Justina que con amory dedicación me criaron deseando de mí lo mejor, gracias a sus sabios consejos y palabras sigo estudios universitarios.


Abelardo Castromonte.



AGRADECIMIENTO

A la Universidad Privada TELESUP, oficina de enlace Huaraz, Institución que me brindó la oportunidad de seguir una carrera profesional en la vida personal y académica y a descubrir el más profundo anhelo de una noble misión de ser unprofesional Universitario comprometido con la realidad y poder ser agente multiplicador del desarrollo cultural, social, ecológico y sobre todo el tecnológico el cual cristaliza mi formación profesional.
De manera muy especial al Dr. JOSÉ LEÓN LUNA GÁLVEZ, fundador de la Universidad Privada TELESUP, quien tuvo la gentileza de desplegar una sede de formación profesional en la ciudad de Huaraz.Abelardo Castromonte.
ÍNDICE
Pág.
DEDICATORIA ii
AGRADECIMIENTO iii
INDICE iv
INTRODUCCION vi

I. EL TRANSISTOR. 9
I.1 HISTORIA DEL TRANSISTOR 9
I.1.1 Historia 9
I.1.2 CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES 12
I.1.3 PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS DEL TRANSISTOR 14
I.1.4 REGIONES DE TRABAJO 18
Región de saturación 21
I.1.5 CURVAS CARACTERÍSTICAS 24
I.1.6 EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR 33
I.1.7 OTROS DATOS -LIMITACIONES EN LOS TRANSISTORES 39
I.1.8 COMPROBACIÓN DE TRANSISTORES 44
I.2 EL TRANSISTOR BIPOLAR 47
II. TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO FET 59
II.1 TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO FET 59
II.1.1 El JFET 62
III. El MOSFET 72
III.1 Introducción al MOSFET 72
IV. EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT) 80
IV.1 EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT) 80
V. TRANSISTORES IGBT 85
V.1 TRANSISTORES IGBT 85
V.2 EL TRANSISTORDE POTENCIA 86
V.3 TIPOS DE TRANSISTORES SEGÚN FABRICACIÓN 101
V.4 DISIPACIÓN TÉRMICA 103
V.5 FABRICACIÓN DE TRANSISTORES 114
V.6 OTROS MÉTODOS DE FABRICACIÓN DE TRANSISTORES 122
XVI. CONCLUSIONES 135
XVI.1 Conclusiones 135
XVII. FUENTE DE INFORMACION BIBLIOGRÁFICA 137
APÉNICE A 45



INTRODUCCIÓN

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador,oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de tres electrodos o tríodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. En diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienesfueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos, televisores en color. Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar afuncionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos...