Trabajos
Acceso directo:
Sólo lectura (ROM): ROM, PROM, EROM, EEROM, EAROM
Lectura/escritura (RAM): Estáticas y dinámicas.
Acceso asociativo (CAM)
Acceso BORAM: CCD, Burbujasmagnéticas.
Acceso serie: Pilas FIFO, Pilas LIFO
Acceso directo ó cíclico: Unidades de disco, unidades de tambor
Acceso secuencial: Unidades de cinta
MEMORIAS DE ACCESO DIRECTO
Construidas a basede semiconductores. Dos grupos:
Lectura:
ROM: en ellas los datos se almacenan en el momento de fabricación del CI.
PROM: Se llaman programables ROM, que son CI en los que el punto de memoria resideen un fusible. Para grabar los datos se funden los fusibles necesarios. Sólo admiten una grabación.
EPROM: Erasable, programable ROM. Son memorias en las que se pueden realizar varios ciclos deborrado y grabación. Para borrar se ilumina con luz ultravioleta el interior del CI por una ventana que tiene. Es necesario borrarla para introducir datos.
EEROM: Electrical, erasable ROM. El borrado serealiza eléctricamente.
EAROM: Electrical alterable ROM. Se pueden alterar los datos sin borrado previos.
Lectura/Escritura:
Son las memorias RAM (Random Access MEmory).Dos tipos:Estáticas: Utilizan biestables. LA información permanece con la alimentación. Tienen grandes velocidades de acceso. El sistema de control y de conexión a buses es muy sencillo. La capacidad de integración no es muyalta.
Una variante de estas memorias es la VRAM que es la RAM de vídeo, la cual permite el acceso a los datos por dos caminos diferentes y simultáneamente, se llama también de doble puerto. Lainformación que tiene es la de presentación en pantalla. Los accesos que tiene son de tipo secuencial y continuo por el controlador gráfico y cada vez que se modifica la imagen, la CPU accede a cambiar datos. LaVRAM elimina el doble acceso pero es bastante más cara.
Dinámicas: Utilizan condensadores que es una capacidad parásita que tienen los transistores MOS. La escala de integración es muy alta. La...
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