Transistor Bipolar De Puerta

CENTRO DE FORMACION TECNICA
TEDORO WICKEL

TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT

Carrera: Electrónica en Control e Instrumentación Industrial
Cátedra: Electronica de PotenciaNombre Profesor: Carlos Rojas
Fecha: 16.04.2012

Integrantes: Leonardo Venegas
Antonio Opazo
Sergio Matamala-1-

INDICE

INDICE…………………………………………………………………….. 01 INTRODUCCION…………………………………………………………. 02
RESEÑA HISTORICA…………………………………………………... 03
RESEÑA HISTORICA…………………………………………………... 04
ESTRUCTURA DEL IGBT………………………………………………….. 05
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO…………………………………... 06
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO…………………………………... 07
PRINCIPIODE FUNCIONAMIENTO…………………………………… 08
CIRCUITO EQUIVALENTE IGBT………………………………….…… 09 CONCLUCIONES…………………………………………………….….. 10

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INTRODUCCION

 

El IGBT surgió como respuesta a la necesidad de controlar corrientes y voltajes elevados con pequeñas señales de entradas. Este elemento llego a revolucionar la electrónica de potencias, permitiendo desarrollar elementos de control enaltas
Potencias.
Pretendemos en estas páginas profundizar sobre su estructura, características
de funcionamiento, sus aplicaciones en la electrónica de hoy en día y como elegir correctamente el elemento electrónico entes de utilizarlo.
Los IGBT son dispositivos muy adecuados para aplicaciones de media potencia,
del orden de 1KW a “MW. Los límites inferior y superiorde dicho rango donde el
IGBT es Mayoritariamente utilizado son difíciles de definir pues se trata de potencias donde otros tipos de semiconductores ganan terreno al IGBT debido a sus mejores prestaciones; en concreto, se puede destacar en bajas potencias al MOSFET como
gran competidor y en altas al IGCT.

-3-RESEÑA HISTORICA

El IGBT es un dispositivo semiconductor con cuatro capas alternas (PNPN) que son controlados por una estructura de puerta de metal-óxido-semiconductor (MOS), sin la acción regenerativa. Este modo de operación fue propuesta por primera vez por Yamagami en su patente japonesa S47-21739, que fue presentada en 1968. .  Este modode operación fue descubierto por primera en forma experimental por B. Jayant Baliga en estructuras de dispositivos verticales con una zona de la puerta ranura en V y en la literatura en 1979.  La estructura del dispositivo se conoce como un dispositivo MOSFET 'ranura en V con la región de drenaje sustituye por una región de ánodo de tipo p "en este documento y, posteriormente, como el aislamientode la puerta del rectificador (IGR),  el transistor de puerta aislada (IGT),  la conductividad modulada de efecto de campo transistor (COMFET)  y "bipolar en modo MOSFET ". 
Plummer encontró el mismo modo de operación IGBT en el dispositivo de cuatro capas (SCR) y por primera vez presentó una solicitud de patente para la estructura del dispositivo en 1978. USP No.4199774 se publicó en 1980 y B1Re33209  fue reeditado en 1995 para la operación de modo de IGBT en el dispositivo de cuatro capas (SCR).
Hans W. Becke y Carl F. Wheatley invento un dispositivo similar para el que presentó una solicitud de patente en 1980, y que se conoce como "MOSFET de potencia con una región del ánodo".  Esta patente ha sido llamada "la patente fundamental de la puerta del transistor bipolar aislado”.  La...