Transistor_BJT

• Introducción: tipos de transistores
• Principio de funcionamiento del transistor
bipolar
·Transistor tipo PNP
·Transistor tipo NPN
• Características eléctricas de un transistor bipolar
•Conclusiones

NPN
Bipolares
PNP

CANAL N
(JFET-N)

Transistores

Unión
CANAL P
(JFET-P)
Efecto de
campo

CANAL N
(MOSFET-N)

Metal-óxido
semiconductor

CANAL P
(MOSFET-P)

Transistor bipolar BJTCaracterísticas de los Transistores:
• El consumo de energía es relativamente baja.
• El tamaño de los transistores es más pequeño que los tubos de vacío.
• El peso.
• Una vida larga útil (muchas horas deservicio).
• Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
• No necesita tiempo de calentamiento.
• Resistencia mecánica elevada.
• Los transistores pueden reproducir el fenómeno de lafotosensibilidad
(fenómenos sensibles a la luz).

Transistor BJT

Transistor BJT

Transistor BJT
•
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•

Hay 3 configuraciones:
Base común (BC).
Emisor común (EC).
Colector común (CC).

Cada una de estasconfiguraciones a su vez puede trabajar en 3 zonas
diferentes:
• Zona ACTIVA: EB en Directa y CB en inversa.AMPLIFICADORES
•

Zona de SATURACIÓN:EB en Directa y CB en Directa.CONMUTACIÓN

•

Zona deCORTE:EB en Inversa y CB en Inversa.CONMUTACIÓN

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el de dos diodos en
serie: el funcionamiento de la primera unión no afecta al de la segunda

Elterminal central (base) maneja una fracción de la corriente que circula
entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

El terminal de base actúa como terminal de controlmanejando una fracción
de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
El emisor tiene una concentración de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables.

Secomporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la
corriente
se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.
En un transistor NPN en conducción, la corriente por emisor, colector...