Transistores de union bipolar

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Tema 3 – Transistor de Unión Bipolar (BJT). Rev 2

TEMA 3 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT)
Profesores: Germán Villalba Madrid Miguel A. Zamora Izquierdo
Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia

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Tema 3 – Transistor de Unión Bipolar (BJT). Rev 2

CONTENIDO • • • • • • • Introducción El transistor de unión bipolar (BJT) Configuraciones deltransistor BJT. Definición de los estados del transistor BJT. Configuración del BJT en Emisor Común. Circuitos de polarización. Rectas de carga estática. El BJT en conmutación.

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Tema 3 – Transistor de Unión Bipolar (BJT). Rev 2

INTRODUCCION • BJT (Bipolar Junction Transistor) • Los transistores deunión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal. • El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles). • Los transistores sondispositivos activos con características altamente no lineales.

• Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado. (Transfer Resistor).
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CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT
• • • Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector) En función de la situación de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP. La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la BaseColector eninversa. Así, por la unión Base-Colector circula una corriente inversa. En npn, la región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unión Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los electrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor número de huecos, por lo que son atraídos por el colector (con alta concentración de impurezas).



N

P

NP

N

P

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TRANSISTOR BIPOLAR npn
• Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C). El emisor emite portadores decarga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base. Unión emisor: es la unión pn entre la base y el emisor. Unión colector: es la unión pn entre la base y colector. Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor. La base tiene menortamaño, después el emisor y a 2 veces de espesor el colector.
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TRANSISTOR BIPOLAR pnp
El BJT pnp está formado también por un cristal semiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas. • Las tensiones de continua aplicadasson opuestas a las del npn. • Las corrientes fluyen en sentido contrario al del npn. • Por lo demás, este dispositivo es similar al npn. El BJT pnp desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base van a parar al colector. •



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