Transistor

TECNOLOGO EN MANTENIMIENTO ELECTRONICO INSTRUMENTAL INDUSTRIAL

TRANSISTOR

Edwar Fernando Vargas Ojeda
CEET- Grupo MELI 183652
Bogotá DC
edwarvar.2@misena.edu.co

Resumen: En este trabajo podremos observar el funcionamiento de los diferentes transistores existentes y de cómo se clasifican dependiendo de su funcionalidad a partir de su composición interna, también miraremosdiferentes ejemplos de su funcionamiento aplicado dentro de un tipo de circuito.

Introducción:

A continuación hablaremos del transistor y de los diferentes tipos que hay:

1. Transistor, funcionamiento básico.

2. Técnicas de fabricación

3. Transistor BJT

4. Transistor UJT

5. Transistor FET

6. Transistor MOSFET

FUNCIONAMIENTO BASICO:1. TRANSISTOR:

El transistor es un dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarán los bipolares. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:

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A continuación identificaremos el por quese les llama o PNP o NPN, con unas graficas que muestran su estructura interna:

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Se puede apreciar que la forma de construcción interna nos determina el tipo de semiconductor.

El funcionamiento básico de un transistor lo podemos apreciar en el siguiente ejemplo:

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Podemos observar que cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base deltransistor por lo que la lámpara no se encenderá, ya que, toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor.

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Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña circulará por la Base. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lámpara.

2. TECNICAS DE FABRICACIONExisten diferentes formas de fabricacion de yun transistor las cuales describiremos las siguientes de forma detallada:

TECNICA PLANAR: (técnica fotoquímica) Se basa en la utilización de una plaquita de silicio, tipo P o N, que constituirá el colector. El proceso será tal y como sigue:

Por uno de los lados de la plaquita se deposita una capa de óxido de silicio, practicándose mediante técnicasfotoquímicas una abertura o ventana.

A través de la abertura practicada, se difunde el material donador o aceptor, formándose la base del transistor.

A continuación, se procede a una nueva deposición de óxido de silicio, sobre la cual, mediante la misma técnica (técnica fotoquímica), se practica una ventana menor que la anterior, en la cual se difundirá el emisor.

Una vez completadas lasoperaciones de difusión (de base y emisor), la ventana practicada se recubre con una nueva capa de óxido de silicio, sobre la que se practicarán nuevas ventanas para la colocación de los contactos de emisor y de base. El colector se conecta a la parte inferior del cristal.

Por último, todo el conjunto se vuelve a recubrir con una capa de óxido de silicio, que protege al dispositivo contra losagentes externos.

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TECNICA EPITAXIAL: Los transistores producidos con esta técnica se denominan también transistores mesa. La técnica epitaxial consiste en hacer crecer un material semiconductor en estado de cristal sobre otro material semiconductor que, a su vez, se halla también en estado de cristal.

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TECNICA MESA-SEMIPLANAR: Esta técnica consiste en obtener la uniónemisor-base por medio de tecnología planar, y la unión base-colector por medio de tecnología mesa.

Los transistores obtenidos mediante este procedimiento poseen frecuencias de transición máximas del orden de 50 MHz, constituyendo su principal ventaja el que pueden trabajar a tensiones relativamente elevadas (de hasta 1 500 V). Mediante esta técnica sólo se obtienen transistores NPN.

TECNICA...