transistores

Transistores:
BJT: dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí. APLICACION: En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directay la unión base-colector en inversa. TIPOS: NPN Y PNP. CARACTERIZTICAS: está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. DIAGRAMA YDESCRIPCION: en este esquema la unión base – emisor y actua como diodo normal.

UJT: Tiene tres terminales denominados emisor, base uno y base dos. Está formado por una barra semiconductora tipo n.CARACTERIZTICAS: presenta un fenómeno que al aumentar la corriente la resistencia de esta baja. APLICACIÓN: cuando el emisor está abierto puede servir como oscilador en circuitos de disparo. TIPOS: PN.FET: Se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal". CARACTERIZTICAS: Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta y Hasta cierto punto es inmune a la radiación.APLICACIÓN: En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base. TIPOS: MOSFET, JFET, MESFET, HEMT, MODFET, IGBT, FREDFET y DNAFET.DIODOS:
SILICIO: constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. CARACTERISTICAS: Son de gran robustez, noafectándoles los golpes mecánicos, vibraciones, etc. APLICACIÓN: “rectificar” corrientes alternas para convertirlas en directa (C.D.) y “detectar” corrientes de alta frecuencia (A.F.) TIPOS: Altatensión inversa y baja resistencia. DIAGRAMA cuando la tensión inversa excede de un cierto valor, la resistencia decrece repentinamente.

GERMANIO: Consta de un trocito o cristal de germanio y unapunta de contacto de hilo de tungsteno, encerrados ambos en una cápsula hermética o botella de vidrio. CARACTERISTICAS: Son de gran robustez, no afectándoles los golpes mecánicos, vibraciones, etc....