Transistores

1. Revisa la explicación del tema e investiga en fuentes confiables de Internet los tipos de transistores que existen.
2. Elabora una comparación entre los diferentes tipos detransistores que se mencionan a continuación:
a. BJT
b. FET
1. -Transistor de contacto puntual: Consta de una base de germanio, sobre las que se apoyan dos puntas metálicas que constituyen elemisor y el colector.
-Transistor de unión bipolar (BJT): Se fabrica sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tiene cualidades de semiconductores, estandointermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
-Transistor de efecto de campo (JFET): Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P.-Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT): Es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.

2. Lostransistores BJT y FET tiene muchas diferencias entre ellas son la manera en la que se controlan, el transistor BJT se controla por corriente de base mientras el FET por tensión entre puertay fuente. El BJT es un dispositivo bipolar y el FET unipolar además que el BJT tiene altas ganancias de corriente y voltaje mientras el FET no las tiene definidas además de ser menores.El transistor FET tiene algunas ventajas como una impedancia de entrada muy elevada, genera un nivel de ruido menor al BJT, es más estable con la temperatura, es más fácil de fabricar,se comporta como resistencia controlada por tensión y que estos transistores de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Las desventajas de estetransistor es que presenta una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada, presentan una linealidad muy pobre y se pueden dañar debido a la electricidad estática.