Transistores
Páginas: 3 (738 palabras)
Publicado: 2 de diciembre de 2012
Integrantes:
Jhon Mendoza
Johannelys Vargas
Geison Arrieche
5to “B”
Republica Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Educación
E.T.I.R. Lara
Barquisimeto, Edo. LaraElectrónica
Prof.: Lumar Alvarado
5to Año Sección “B
CONCEPTO
El transistor: es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador orectificador. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, video, relojes, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonoscelulares, entre otros.
TIPOS
Transistor de Contacto Puntual: Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen yWalter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyenel emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos ensu día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a sumayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de Unión Bipolar: El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal deGermanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, secontaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y...
Jhon Mendoza
Johannelys Vargas
Geison Arrieche
5to “B”
Republica Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Educación
E.T.I.R. Lara
Barquisimeto, Edo. LaraElectrónica
Prof.: Lumar Alvarado
5to Año Sección “B
CONCEPTO
El transistor: es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador orectificador. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, video, relojes, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonoscelulares, entre otros.
TIPOS
Transistor de Contacto Puntual: Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen yWalter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyenel emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos ensu día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a sumayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de Unión Bipolar: El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal deGermanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, secontaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y...
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