Transistores

Instituto Politécnico Nacional
Esime Zacatenco
Ingeniería en comunicaciones y electrónica
Materia: Electrónica lineal
Profesora: Ubaldo Arrieta Elvira
Tema: Investigación
a) Parámetros híbridos para las diferentes configuraciones del transistor
b) condiciones para que el transistor trabaje en región activa

Grupo: 6cm7
Alumno: Vargas Martínez Jesús juan

Fecha de entrega:18/10/2012

INDICE:
* Parámetros híbridos en las configuraciones del transistor pag(3 a 5)
* Condiciones para que un transistor trabaje en región activa

INTRODUCCION:

INTRODUCCION TEORICA
Parámetros híbridos como redes de dos puertos

* Fórmula de ganancia de impedancia

Se deriva una relación importante entre las cantidades de ca de ganancia de tensión, Av, y de ganancia decorriente, Ai.

La formula de tensión se define como

y la ganancia de corriente o ganancia de impedancia como

 Parámetros híbridos.

En un sistema de cuatro terminales existen cuatro variables de circuito: la tensión y la corriente de entrada, y la tensión y corriente de salida. Estas cuatro variables se pueden relacionar por medio de algunas ecuaciones, dependiendo de cuales variables seconsideren independientes y cuales dependientes.

El par de ecuaciones de parámetros híbridos (parámetros h) (y su circuito equivalente) se utiliza a menudo para análisis de circuitos con BJT.

Cuando se utilizan los parámetros h para describir una red de transistores, el par de ecuaciones se escribe como sigue:

Donde los parámetros h se definen como:

hi = h11 = resistencia de entradadel transistor
hr = h12 = ganancia de tensión inversa del transistor

hf = h21 = ganancia directa de corriente del transistor h0 = h22 = conductancia de salida del transistor

Cuando los parámetros h se aplican a redes de transistores, toman un significado práctico en relación con el desempeño del transistor.

Cuando los parámetros de entrada y de salida se igualan en forma individual acero, cada parámetro híbrido representa ya sea una resistencia, una conductancia, una razón de dos tensiones o una razón de dos corrientes.

Es muy útil en cd contar con alguna forma de distinguir entre las tres configuraciones, es decir, EC, CC y BC. Se añade un segundo subíndice a cada parámetro híbrido para proporcionar esta distinción. Por ejemplo, un circuito en EC suele tener hi en elcircuito de base, y se cambia a hie. De manera similar para BC, hi se cambia por hib, y para CC, se cambia a hic. Los tres valores se relacionan entre sí como sigue

El valor de ß es función del punto de operación (ICQ) del transistor. En la porción plana de la curva de iC contra vCE con iB constante el cambio es pequeño. Conforme el transistor se aproxima a la saturación, empieza a caer. A medidaque el transistor se aproxima a corte ß también se aproxima a cero.

Resistencia de entrada en cortocircuito

Se explora el valor de los parámetros antes de abordar la utilización de los circuitos equivalentes para el diseño y análisis. Primero se desarrollan las ecuaciones para hie y hib, que muestran la dependencia de estos parámetros respecto a la ubicación del punto de operación.

Laecuación anterior es útil para estimar el valor de hib.

Parámetros en Emisor Comun.
 Resistencia de entrada, Ren

En general, ß es bastante grande para aproximar 1 + ß como ß. La corriente en RE es, por tanto, aproximadamente igual a ß ib.

 Ganancia de tensión, Av
La relación de división de corriente aplicada a la salida da

El signo negativo resulta de la dirección opuesta de ß ib conrespecto a iL. Entonces

 Ganancia de corriente, Ai

La ganancia de corriente se encuentra a partir de la formula de ganancia de impedancia.

 Resistencia de salida, R0

La fuente de corriente ideal exhibe una impedancia infinita, ya que se mide la resistencia de salida como la entrada en circuito abierto (es decir, ib = 0). La resistencia de salida para el transistor EC es entonces...