TRANSISTORES

Páginas: 14 (3278 palabras) Publicado: 30 de mayo de 2016
TRANSISTORES



KARIANA L. CASTAÑO CARPIO



ELECTRÓNICA BÁSICA



ING: SAMIR TOLOZA





INSTITUTO UNIVERSITARIO DE LA PAZ
INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN
ESCUELA DE INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN
BARRANCABERMEJA
2016
INTRODUCCIÓN
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción eninglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, , equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Entre alguna de las funciones podemos incluir laamplificación, oscilación, conmutación y la conversión de frecuencias. En el reporte siguiente podremos ver los elementos de un transistor, las ventajas de la utilización de los transistores electrónicos, los tipos de transistores, como realizar un test en un transistor, aplicaciones de los transistores y sus encapsulados o materiales que están compuestos.


OBJETIVOS
Conocer la estructura física de lostrasmisores
Conocer los modelos eléctricos utilizados para la descripción de su funcionamiento.
Identificar los tipos de transistores


TRANSISTOR BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal.
El transistor se ha convertido en el dispositivomás empleado en electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles). Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 3
Los transistores son dispositivos activos con características altamente no lineales.
Efecto Transistor: El transistor es undispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado. (Transfer Resistor).
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector)
En función de la situación de las uniones,existen dos tipos: NPN y PNP.
La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la BaseColector en inversa. Así, por la unión Base-Colector circula una corriente inversa.
En npn, la región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 4 N P N P N P mayor dopaje que la base. Al polarizar la uniónBase-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los electrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor número de huecos, por lo que son atraídos por el colector (con alta concentración de impurezas).
                





TRANSISTOR FET
El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campoeléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Ver la figura.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. Laregión que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama “canal”. La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o se polariza negativamente con respecto a la...
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