transitor fet


Instituto tecnológico de Morelia

Ing. Mecánica

Sistemas electrónicos

Profesora: Ariadna Barrera González

Alumnos:
Héctor Manuel Reyes ÁrcigaTRANSISTORES FET
-MOSFET es Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, que quiere decir transistor de efecto de campo metal oxido semiconductor.
Empobrecimiento canal “N”Empobrecimiento de canal “P”



Estructura física:
Posee cuatro electrodos: fuente, compuerta, drenaje y sustrato; la compuerta está aislada galvánicamente del canal, debidoa esto, la corriente en la compuerta es muy pequeña, se compone de un material “N”, con una zona tipo “P” (llamado sustrato) la derecha y una compuerta aislada a la izquierda,los electrones libres circulan desde el termina fuente al de drenaje. La zona sustrato trabaja como una pared ya que presenta una dificultad a la circulación electrónica. Sobre elcanal se agrega una finísima capa de vidrio (oxido de silicio) que opera como aislante, sobre esta capa se realiza una metalización que opera como compuerta.Características:
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune ala radiación.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

-JFET es Junction Field-Effect Transistor que significa transistor de efecto decampo de unión.



Estructura física: La fuente es la terminal S, a través del cual los portadores mayoritarios entran en la barra, el drenador es la terminal D, a través delcual los portadores mayoritarios salen de la barra, el canal es la porción de material semiconductor a través del cual los portadores se mueven desde la fuente al drenador