tres idiostA

TRABAJO



PRESENTADO POR:
EDISSON ANDRES RODELO



PRESENTADO A:
EDWIN PINEDA






SENA
YOPAL/CASARE
2014




















1. La capacidad de bits de unamemoria que tiene 1024 direcciones y que puede almacenar 8 bits
en cada dirección es:
(a) 1024 (b) 8192 (c) 8 (d) 4096
2. Una palabra de datos de 32 bits está formada por:
(a) 2 bytes (b) 4nibbles (c) 4 bytes (d) 3 bytes y 1 nibble
3. Los datos en una memoria de acceso aleatorio (RAM) se almacenan durante:
(a) la operación de lectura.
(b) la operación de habilitación.
(c) la operación deescritura.
(d) la operación de direccionamiento.
4. Los datos que se almacenan en una determinada dirección de una memoria de acceso aleatorio
(RAM) se pierden cuando:
(a) se apaga laalimentación.
(b) se leen los datos de dicha dirección.(c) se escriben nuevos datos en dicha dirección.
(d) las respuestas (a) y (c).
5. Una ROM es:
(a) una memoria no volátil.
(b) una memoria volátil.
(c) una memoriade lectura/escritura.
(d) una memoria organizada en bytes.
6. Una memoria con 256 direcciones tiene:
(a) 256 líneas de dirección.
(b) 6 líneas de dirección.
(c) 1 línea de dirección.
(d) 8líneas de dirección.
7. Una memoria organizada en bytes tiene:
(a) 1 línea de salida de datos.
(b) 4 líneas de salida de datos.
(c) 8 líneas de salida de datos.
(d) 16 líneas de salida de datos.
8.La celda de almacenamiento en una SRAM es:
(a) un flip-flop (b) un condensador
(c) un fusible (d) un punto magnético
9. Una DRAM debe ser:
(a) reemplazada periódicamente.
(b) refrescadaperiódicamente.
(c) habilitada siempre.
(d) programada antes de cada uso.
10. Una memoria flash es:
(a) volátil
(b) una memoria de sólo lectura.
(c) una memoria de lectura/escritura.
(d) no volátil....