Triac

MOSFET
 Por último, vamos a hablar del transistor más utilizado en la actualidad, esto es el del MOSFET. La estructura de este transistor es la más complicada de entre todos los vistos hasta ahora. Consta de los ya conocidos semiconductores P-N, colocados ahora de una nueva forma, y de un original material aislante, como es el dióxido de silicio; esta pequeña adición de la capa del óxido va acambiar considerablemente las propiedades del transistor respecto a las que tenia el JFET.
         Existen dos tipos de MOSFET: cuando tengamos una zona tipo P y dos tíos N lo llamaremos MOSFET de canal n (o NMOS) y, por el contrario, si hay una sola zona tipo N y otras dos tipo P se llamará MOSFET de canal P (o PMOS).
MOSFET de Empobrecimiento:
|

 
El MOSFET de empobrecimiento de canal n 
          

 El MOSFET de canal n se establece en un sustrato p, que es el silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal n u los contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa se SiO 2, que es un aislante, en la parte superior del canal. Sedeposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO2 para formar la terminal de compuerta (G).

         El desempeño del MOSFET de empobrecimiento, es similar al JFET. El JFET se controla por la unión pn entre la compuerta y el extremo del drenaje del canal. No existe dicha unión en el MOSET de enriquesimiento, y capa de SiO2 actúa como aislante. Para el MOSFET de canal n, una vGS negativa sacalos elementos de la región del canal, empobreciéndolo. Cuando vGS alcanza Vp, el canal se estrangula. Los valores positivos de vGS aumentan el tamaño del canal, dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje.
         Nótese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos como negativos de vGS. Como la compuerta está aislada del canal, la corriente decompuerta es sumamente pequeña    (10-12 A) y vGS puede ser de cualquier polaridad.

|
 
El MOSFET de empobrecimiento de canal p
 
 
MOSFET de Enriquesimiento:

|
 
El MOSFET de eriquesimiento de canal n
 
 
 

         El MOSFET de enriquesimiento difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa delgada de material n sino que requiere una tensión positiva entre lacompuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la acción de una tensión positiva compuerta a fuente, vGS, que atrae a los electrones de la región del sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una vGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de óxido. Cuando la tensión alcanza el valor de umbral, VT, hansido atraídos a esta región de los electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habrá una corriente apreciable i D hasta que vGS excede VT.
         No existe un valor IDSS para el MOSFET de enriquesimiento, ya que la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado. IDSS es cero para vGS = 0. Para valores de vGS > VT, la corriente de drenaje en saturaciónse puede calcular de la ecuación iD = k (v GS - VT)2.
         El valor de k depende la construcción de MOSFET y, en principio, es función del ancho y el largo del canal. Un valor típico para k es 0.3 mA/V2; la tensión de umbral, VT, es especificada por el fabricante. Se puede encontrar un valor para gm derivando la ecuación, como se hizo con los JFET.
         El MOSFET de enriquesimiento decanal p exhibe características similares pero opuestas a las del MOSFET de enriquesimiento de canal n.
         Aunque se halla más restringido en su intervalo de operación que el MOSFET de empobrecimiento, el MOSFET de enriquesimiento es útil en aplicaciones de CI debido a su tamaño pequeño y su construcción simple. La compuerta para los MOSFET de canal n   y de canal p es un depósito de metal...