Diodos Simbolos Y Concepto
corriente circule a través de él en una sola dirección.
Tiene dos terminales que se denominan respectivamente
ánodo (A) y cátodo (C).SÍMBOLO ESQUEMÁTICO DE UN
DIODO SEMICONDUCTOR
La conductividad del silicio puro (que es prácticamente un
aislador), se puede incrementar en forma significativa.
Agregando ciertosmateriales (es decir impurezas)
En estas condiciones al semiconductor se le denomina
impuro.
ESTRUCTURA TÍPICA DE CELOSÍA
DE CRISTAL, PARA UNA MOLÉCULA
DE SILICIO
ELEMENTO TIPO N
El fósforo esun material pentavalente, cuando se
agrega un pequeño porcentaje de fósforo al silicio, los
átomos del fósforo desplazan algunos de los átomos de
silicio y dado que sólo cuatro de los cincoelectrones son
necesarios para los propósitos del enlace covalente, se
dará un electrón a la estructura cristalina.
Al semiconductor así formado se denomina tipo n o bien
del tipo negativo, dado queahora tiene más electrones
libres de los que tenía cuando era silicio puro.
ELEMENTO TIPO P
Ahora consideremos la adición de una impureza
trivalente del aluminio al silicio.
Los treselectrones de valencia del aluminio forman
enlaces covalentes con tres átomos vecinos de silicio, el
electrón faltante origina un hueco, el cual se comporta
como una carga positiva libre capaz de atraer unelectrón
externo.
Por lo tanto, un semiconductor tipo P es un receptor de
electrones.
CONCLUSIÓN
Como resultado de la adición de impurezas, un
semiconductor tipo N tiene más electroneslibres que
huecos y un semiconductor tipo P tiene más huecos
que electrones.
UNIONES P-N
La mayoría de los diodos modernos de unión PN son el
resultado de un proceso de difusión, estoinvolucra la
colocación de una capa de silicio tipo N y un óxido de un
material de impureza como el aluminio, juntos en el
interior de un horno, cuando se alcanzan algunos cientos
de grados...
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