Dispositivos electronicos lab
Páginas: 15 (3537 palabras)
Publicado: 3 de octubre de 2010
Julián Salamanca, Cesar Rivera, Estudiantes de Ingeniería Electrónica, Universidad Del Valle
El Diodo y el Transistor BJT
Abstract
In this practice will work with electronic devices for industrial use which form the basis of new technologies and have enabled the development of complex elements of modern electronics.
It represented the characteristic curves of these devices from anelectrical grid that have an input signal given by a signal generator. The variables will be measured by an oscilloscope to indicate graphically the behavior of the element under some parameters.
It will be investigation on the main characteristics of BJT Transistor and Diodes 1N4004 - 1N4148. For recognize its operation and some determining factors in electronics.
Palabras Clave: Osciloscopio,generador de señales, diodo, transistor, voltaje, corriente, resistencia.
CONTENIDO
I. Introducción…………………………1.
II. Objetivos……………….....................1.
III. Metodología…………………………2-5.
IV. Análisis de Resultados………………5-6.
V. Conclusiones…………........................6
VI. Referencias…………………….……..6
VII. Anexos……………………………….7-8
INTRODUCCIÓN
En la actualidad loslímites de la electrónica están siendo vencidos o removidos constantemente, los temas centrales, son el tamaño y el costo de los dispositivos. Esta, es una época de gran innovación que deja como resultado una revolución tecnológica sin precedentes.
La mayor parte de este auge se debe a la construcción de elementos electrónicos sencillos pero determinantes para originar un cambio, dispositivoscomo los Diodos y los Transistores BJT, han permitido realizar acciones que son la base para desarrollo nuevas tecnologías.
Un diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente en una dirección con características similares a las de un interruptor. Debido a este comportamiento, son conocidos como rectificadores. Los diodos están formados por dos partes, una llamada N yla otra llamada P, que representan la cantidad de portadores libres, están separadas por una distancia llamada barrera o unión. El diodo puede presentar dos maneras de trabajo, una es la polarización directa y otra de forma inversa.
Fig 1: Diodo
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Un transistorde unión bipolar está formado por dos uniones P-N en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha.
El transistor Bipolar o BJT es un elemento con tres terminales conocidos como Base, Emisor y Colector. Existen tres formas básicas para la conexión de transistores BJT en una red eléctrica: Emisor común, Base común y Colector común.
Fig 2: Transistor
ObjetivosGenerales:
* Utilizando el osciloscopio como instrumento de medida, graficar y analizar la curva característica de Voltaje-Corriente para un transistor BJT configurado de la forma emisor común.
* Construir en base a un circuito de prueba las graficas Voltaje-Corriente de los diodos en estudio, para comprender su comportamiento.
Específicos:
* Observar y analizar las diferencias entrelos diodos 1N4004 y 1N4148. Los cuales son usualmente empleados en la electrónica moderna.
* Aplicar los conceptos aprendidos sobre el osciloscopio y el generador de señales en el estudio de una red eléctrica.
* Identificar y comparar los tipos de operación de un transistor BJT.
* Determinar las características de un transistor bipolar identificando las zonas de saturación, activay de corte.
Metodología
En esta práctica se emplea el osciloscopio como instrumento para determinar las variables de una red eléctrica (Voltaje-Corriente), aplicando una señal de entrada V1 suministrada por el generador de señales. Centrando el trabajo en el estudio de dispositivos semiconductores de uso industrial.
El osciloscopio:
Es un instrumento que permite observar el...
El Diodo y el Transistor BJT
Abstract
In this practice will work with electronic devices for industrial use which form the basis of new technologies and have enabled the development of complex elements of modern electronics.
It represented the characteristic curves of these devices from anelectrical grid that have an input signal given by a signal generator. The variables will be measured by an oscilloscope to indicate graphically the behavior of the element under some parameters.
It will be investigation on the main characteristics of BJT Transistor and Diodes 1N4004 - 1N4148. For recognize its operation and some determining factors in electronics.
Palabras Clave: Osciloscopio,generador de señales, diodo, transistor, voltaje, corriente, resistencia.
CONTENIDO
I. Introducción…………………………1.
II. Objetivos……………….....................1.
III. Metodología…………………………2-5.
IV. Análisis de Resultados………………5-6.
V. Conclusiones…………........................6
VI. Referencias…………………….……..6
VII. Anexos……………………………….7-8
INTRODUCCIÓN
En la actualidad loslímites de la electrónica están siendo vencidos o removidos constantemente, los temas centrales, son el tamaño y el costo de los dispositivos. Esta, es una época de gran innovación que deja como resultado una revolución tecnológica sin precedentes.
La mayor parte de este auge se debe a la construcción de elementos electrónicos sencillos pero determinantes para originar un cambio, dispositivoscomo los Diodos y los Transistores BJT, han permitido realizar acciones que son la base para desarrollo nuevas tecnologías.
Un diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente en una dirección con características similares a las de un interruptor. Debido a este comportamiento, son conocidos como rectificadores. Los diodos están formados por dos partes, una llamada N yla otra llamada P, que representan la cantidad de portadores libres, están separadas por una distancia llamada barrera o unión. El diodo puede presentar dos maneras de trabajo, una es la polarización directa y otra de forma inversa.
Fig 1: Diodo
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Un transistorde unión bipolar está formado por dos uniones P-N en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha.
El transistor Bipolar o BJT es un elemento con tres terminales conocidos como Base, Emisor y Colector. Existen tres formas básicas para la conexión de transistores BJT en una red eléctrica: Emisor común, Base común y Colector común.
Fig 2: Transistor
ObjetivosGenerales:
* Utilizando el osciloscopio como instrumento de medida, graficar y analizar la curva característica de Voltaje-Corriente para un transistor BJT configurado de la forma emisor común.
* Construir en base a un circuito de prueba las graficas Voltaje-Corriente de los diodos en estudio, para comprender su comportamiento.
Específicos:
* Observar y analizar las diferencias entrelos diodos 1N4004 y 1N4148. Los cuales son usualmente empleados en la electrónica moderna.
* Aplicar los conceptos aprendidos sobre el osciloscopio y el generador de señales en el estudio de una red eléctrica.
* Identificar y comparar los tipos de operación de un transistor BJT.
* Determinar las características de un transistor bipolar identificando las zonas de saturación, activay de corte.
Metodología
En esta práctica se emplea el osciloscopio como instrumento para determinar las variables de una red eléctrica (Voltaje-Corriente), aplicando una señal de entrada V1 suministrada por el generador de señales. Centrando el trabajo en el estudio de dispositivos semiconductores de uso industrial.
El osciloscopio:
Es un instrumento que permite observar el...
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